TI中文支持网Part Number:BQ76942Other Parts Discussed in Thread: EV2400
当产品进入过放保护后，通过MCU给Rst_shut引脚高电平使BQ76942进入shutdown，我们测试时发现放电MOS会重新开启再关闭，然后芯片才进入shutdown。请问这个是什么原因？
Star Xu：
您好，正在查询，稍后回复。
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Star Xu：
您好，The DSG FET is supposed to stay OFF.Do you have an scope image and the schematic? If the 10M resistor is not included, it might cause this behavior.
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xin liu：
你好，截图为相关线路连接，MOS的GS间电阻是有的，还是会有这个现象。即便是使用EV2400也会存在此问题，还请你们实际测试确认一下
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Star Xu：
您好，正在询问更了解这款芯片的TI 工程师，稍后回复。
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Star Xu：
您好，Do you have an scope image showing the LOW-HIGH-LOW voltage on DSG pin? I tried recreating this on the EVM and what I could see was a slightly increase in voltage of 0.5 V before entering shutdown mode, but this will not cause DSG FET to turn ON.
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xin liu：
你好，附件为实测波形与BQ76942的配置文件，请帮忙再次确认下，谢谢！
20221213.gg.csv
tek00004.tif
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Star Xu：
您好，The PDSG pin is floating on the schematic, but is enabled on the settings. I would disable the PDSG_EN bit in FET Options register. Please try to enable SCD bit in DSG FET Protections A register. Please see below for what the TRM suggests.
If these two suggestions do not help, I suggest trying this scenario with the default configurations to see if it is something from the configurations causing the DSG FET to turn ON. We have never seen the DSG FET turn on before shutdown.
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xin liu：
你好，按照上述建议1，我将预放电功能关闭，重复测试内容，现象与原来的一致。
按照建议2，将DSG FET Protections A register配置为0xe4，现象也与原来的一致。
能否让你们负责这个芯片的软件工程师再帮忙看看，如果说要从默认的配置一个个去排查，不一样的地方太多了，而且也不确定是单个因素影响还是多个因素共同影响。
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Star Xu：
您好，建议您用评估板验证一下。如果没有评估板建议您用默认参数做一下同样的测试验证一下。
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xin liu：
你好，我在逐步排查可能影响的参数时，发现在CUV保护的延时时间（Protections:CUV:Delay）配置修改初始值74为604后，重复测试步骤便会将现象复现，请再帮忙确认一下，谢谢
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Star Xu：
您好，正在确认，稍后回复。
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Star Xu：
您好，请参考分享更多关于测试程序的详细信息。
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xin liu：
使用我2023/1/10回复的gg文件
使保护板进入过放保护
通过RST_SHUTl拉高进入shutdown
测试放电MOS驱动引脚波形以上为相关测试条件及步骤，使用此配置文件的时候放电MOS会异常开启后再关闭，若将配置文件中的CUV保护的延时时间（Protections:CUV:Delay）配置修改为初始值74后，便不会发生放电MOS异常开启再关闭的问题。
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Star Xu：
您好，正在查询，稍后回复。
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Star Xu：
您好，请参考下面的内容：
I recreated the testing procedure, and DSG FET will turn ON for approximately 750ms, then turn OFF. This happened when pulling up the RST_SHUTL pin. This happens regardless of CUV Delay time, so it is not depended to CUV Delay.However, when sending the SHUTDOWN() subcommand, I did not see the DSG FET turning ON and OFF.What it is happening here is that by pulling the RST_SHUTL pin high, the device does a partial reset before entering shutdown. The over-discharge protection flag will clear in partial reset causing the DSG FET to turn ON. Then, the device enters shutdown.To avoid the partial reset, simply send SHUTDOWN() subcommand.
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xin liu：
你好，在过放保护状态下采用命令的方式是可以解决放电MOS开启和关闭的问题。那现在就剩一个问题了，同样采用上拉Rst_Shut引脚这个操作，Protections:CUV:Delay配置为74不会有这个现象，而配置为604就会有此现象
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Star Xu：
您好，Protections:CUV:Delay设置为604以后，再重复您的测试步骤还会出现MOS异常吗？
工程师验证的结果是跟延迟时间无关。
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xin liu：
你好，英文答复中表示按我的测试步骤会出现MOS异常开启再关闭的现象。后面的那句话说这个现象和CUV的延时时间无关，而在我的验证中是存在的，也就是我强调的CUV延时参数配置成74的时候测试是正常的，而配置成604的时候就会有异常现象。从这里看是存在相关性的
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Star Xu：
您好，工程师验证如下：
I tried on the bench the test with both CUV delays, and same result. I was able to recreate the DSG FET behavior with CUV = 74ms and 604ms. The CUV delay did not make a difference. This might be something to fix for future devices.I suggest to use the SHUTDOWN() subcommand.
