TI中文支持网Part Number:UCC28950
我想用UCC28950设计一款移相全桥的ACDC,在选取开关管的问题上有几处不清楚：
1.如上图，开关管A、D同时导通时，变压器原边电流从左往右，此时向次边传递能量；
2.当D关断后D管Coss充电，C管Coss放电，C管两端电压下降，按照软开关设计，在CD管死区时间内C管电压应变为0（被体二极管钳位），根据手册给出的上述波形看，此时电流基本等于原边峰值电流；
3.那么问题来了，C管体二极管导通后到C管开通前的这段时间内，原边存在一个峰值电流在C管体二极管上的功率损耗，这段时间的长短跟原边电流大小、管子寄生电容、死区时间设置的长短有关（此现象超前桥臂比滞后桥臂严重，因为超前桥臂体二极管导通的快），大负载情况下，可能大部分死区时间内该体二极管都有电流流过。如果体二极管压降比较高（比如SiC MOS管体二极管压降在4V）是否会导致这段死区时间内会有大量功率损耗导致MOS管发热，或者换句话说，碳化硅MOS管不适合做移相全桥（除非再额外并联低导通压降的二极管）。
4.之后在C管导通后A管关断前，原边电流依旧较大（线性降低），这段时间内A管，C管也会有额外的损耗，普通硬开关全桥原边应该有一段电流为0的时刻，那么与普通硬开关的全桥比起来，移相全桥软开关是拿这部分导通损耗代替了硬开关的开关损耗。这样看来，是不是开关频率不是很高的时候，移相全桥的效率并不一定比硬开关的高，当占空比低 的时候尤为明显。
5.近几年兴起的碳化硅MOS管，都说是开关损耗比较低，但在移相全桥的应用中是否不合适，但我看网上也有好多碳化硅做移相全桥的帖子，现在也迷糊了，不知道对这个移相全桥理解的对不对。
在其他开关模态下应该类似，以上分析不知道是否正确，望大神指点。
Tian Xiaoguang：
按照参考设计给的这个驱动时序图，CD是超前桥臂，AB是滞后桥臂，我理解的对吗
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Johnsin Tao：
HI
建议你将这些问题放到美国E2E: https://e2e.ti.com/
我这边没有设计过这个芯片的电源板，在美国E2E上的工程师应该会比较有经验。
