LM25116: 外置MOS发热严重

如下图，使用LM25116和CSD18540Q5B将24V降压到5V，在空载时，24V电源显示为0.06A，PQ1温度50度左右，PQ2温度45度左右；在5V抽载5A时，PQ1温度85度左右，PQ2温度80度左右，在5V抽载13A时，温度会短时间内上升到120多度，这三个情况都不符合理论设计，如果将输入电源从24V降到12V，温度上升明显要慢，温度要低一点。SW引脚波形如下图。电感的内阻2.2mohm，饱和电流23A，感值也较合理；MOS管的RDS(ON)也是只有1.8mohm，理论上符合设计，是什么原因导致MOS发热严重

Johnsin Tao：

HI

     建议选择尽量小的Qg， Rdson的MOS.

     同时注意MOS Layout上的散热设计。

     这些都会导致MOS的异常发热。

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h d：

我尝试将1uH电感换成1.5uH，然后将降低开关频率，将RT引脚的电阻改为13K，测得空载时SW引脚波形如下：

抽载5A时波形为：

此时温度还是有点高，温度高达80+，，测试纹波Vpp显示超过10%，这里没有记录波形图了。电感是否不太合理，还有环路部分阻容是否合理呢，目前测试不了环路。

您说的更小的Qg和RDSon的MOS管是否有推荐型号呢？

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h d：

layout布局如下：

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Johnsin Tao：

Hi

    直接借助芯片官网的在线仿真webench进行电路确认， 你可以点击电路中的MOS编辑，可以列出适合的MOS, 然后根据参数选择尽量小Rdson,Qg的MOS, 同时最好热阻也较低，这样MOS温升就会比较低。

    其次仿真还可以得到电路的相关参数，包括MOS温度，你可以和你测试到的数据比较。

    另外   layout上描述比较详细也有参考，建议严格参照。