TI中文支持网Part Number:DRV8303
HI，TI工程师
1，我在使用TI DRV8303驱动三相MOS管的过程中，发现DRV8303的电流放大倍数默认是10V/V，怎样才能把默认比例改为80V/V呢？
2，在对DRV8303上电后，SPI把电流放大倍数写入控制寄存器2后，在驱动MOS管时，发现GVDD电压从10.7V跌落至8.5V，跌落时间持续0.8ms，然后GVDD恢复至10.7V，此时8303的电流放大倍数恢复成默认的10V/V，这是GVDD导致的SPI寄存器复位吗？
谢谢
Cherry Zhou：
您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助，如有答复将尽快回复您。谢谢！
,
Cherry Zhou：
您好，
工程师这边正在查看该问题，最晚将于下周四前给到您相关答复。
,
Cherry Zhou：
您好，
要更改增益设置需要通过 SPI 发送指令。 在地址0x03中。请参阅以下数据表的表11：https://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8303.pdf
电流放大设置在寄存器3而非寄存器2上，请问您所指的寄存器是？ GVDD 欠压功能仅在电压低于7.5V 时触发。 因此，由于 GVDD 欠压，SPI 寄存器可能无法复位。 DVDD 可能存在一个将状态寄存器复位的欠压情况。 SPI 寄存器复位的另一个实例是 EN_GATE 变为高电平或 PVDD 欠压。
当驱动 MOS 管时，GVDD 可能会下降，因为 IDRIVE 设置为最高(默认条件)。 这应该就是问题。您还可以考虑降低 IDRIVE。添加大容量电容器以防止 GVDD 大幅下降也可能有帮助。请检查 SPI 寄存器上是否触发了任何故障。
,
liu tiande liu：
你好，感谢答复，现仍有疑问：
1，SPI指令的确是可以修改增益，但是在8303发生某些故障或者上下电之后，8303的电流增益会被恢复成默认的10V/V，因此看起来似乎增益系数被写入的是ram中，然而在实际应用中希望不管8303经历了什么（上下电可以除外），最终的电流增益都是80V/V；
2，电流放大器的增益设置是在控制寄存器2中，地址是0X03。在实际驱动三相逆变MOS管的时候，发生过B相MOS上下管直通，导致了8303的nFAULT引脚被拉低800us后再次恢复成高（因为B相MOS直通后，8303控制所有的MOS全部关闭了），此时8303的电流增益系数被恢复成10V/V（8303刚上电时，已被SPI通讯写入80V/V的增益系数且8303的SPI回复数据无误）。这种突然改变电流增益系数的事情是非常危险的，因此想知道哪些条件会导致8303的电流增益系数发生改变，以及怎样修改并写死8303的默认增益系数；
3，已解决。
谢谢
,
Cherry Zhou：
好的我们跟进给工程师看下。
,
Cherry Zhou：
您好，
如果 EN_GATE 变为低电平的时间超过10us，那么SPI 设置可能会被复位，因此请确保不会发生此事件。
另一个要监控的组件是 VDD_SPI。 请确保它在整个时间内为高电平，因为如果变得过低或降至0V，那么SPI 将被复位。
