TI中文支持网Part Number:DRV8350R
测试中发现Gate driver损坏，VGLS电压3V. 软件配置：驱动电流1A/2A，门极驱动电阻22ohm，MOS：IPB042N03 G（2并，每颗MOS有单独的22ohm）。
猜测是gate driver 内部LDO损坏，请问：1.可能的原因是什么？ 2. 增大22ohm电阻到多少合适？ 3. 调节驱动电流和调节驱动电阻有没有差异，哪种方式更优？
Cherry Zhou：
您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
您好，为了更好地解决您的问题，您能否提供以下信息：
您使用的是 SPI 还是硬件变体版本？
触发了哪些故障？
您是否正在使用 EVM？如果没有的话，有没有在 VGLS 引脚上放置一个1uF 电容器？
是否尝试过以较低的驱动电流运行器件？GDUV 可通过 VCP 欠压或 VGLS 欠压触发。
通过器件设置来调整驱动电流与添加栅极电阻器控制电流应该具有相同的效果。不过保持更改栅极电阻器可能会更贵一些。
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你好；谢谢你的回复。信息如下：
1.我现在使用的是DRV8350RSRGZR,应该是SPI版本
2.出发了GDUV故障，VGLS电压异常，输出为3V
3.未使用EVM，我现在在调试自己的产品，VGLS引脚有1uF电容
4.我尝试了将栅极电阻更改为上桥51ohm，下桥100ohm(下桥栅极电阻并联一颗反向的二极管用来快速放电)和降低驱动电流至150mA，目前测试未出现Gate Driver损坏。
请问Gate Driver损坏具体是怎么损坏的？（栅极电阻上下桥均为22ohm，下桥栅极电阻并联反向二极管，驱动电流1000mA/2000mA，产品负载电流较大时已损坏）
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Cherry Zhou：
好的收到了，我们跟进给工程师看下哈。
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Cherry Zhou：
您好，
这里的问题应该是驱动电流设置过高，然后会导致 MOSFET 的开关速度非常快。该 MOSFET 的 QGD 为4.7nC。因此，上升时间为 QGD /I SOURCE，下降时间为 QGD /I SINK，分别为4.7nC/1A =4.7ns 和4.7nC/2A =2.35ns。这非常快，可能会导致 MOFSET 出现振铃。振铃可能会导致栅极驱动器的栅极/源极引脚上出现电压尖峰并超出其绝对最大额定值。因此，如果 SHx 上升到高于 VCP，则可能会使电流流经前置驱动器的体二极管，从而导致 VCP 损坏。
发生该振铃现象时，您应该能观察到 GDUV 故障。请问是否在较低的驱动电流下观察到该故障？
我们通常建议使用200ns 的上升时间和100ns 的下降时间来实现快速 MOSFET 开关。
以下帖子应该会对您有所帮助：
https://www.ti2k.com/wp-content/uploads/ti2k/DeyiSupport_电机驱动器_4080462
