TI中文支持网Part Number:DRV8711EVM
在正常测试条件下，采用外接控制板来控制，多次测量都没有问题，偶然一次出现断电前工作正常，断电后过了几分钟再次使用就出现问题了，测量C7、C8电容短路，C2、C3电容的容值变成100uf左右，且芯片的第10脚STEP_AIN1对GND短路（开始没测过，不知道是不是正常的）。
Cherry Zhou：
您好，我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
您好，
hzj 说：在正常测试条件下，采用外接控制板来控制，多次测量都没有问题，
能麻烦详细解释下这句话吗？您是用外接板来控制 EVM 中的驱动器吗？
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hzj：
您好，使用外接的一个单片机来发送脉冲信号来控制驱动器，就是一直正常使用，吃饭时断电出去了，回来再上电就已经不行了，外接的单片机也烧了，最近测量第10脚STEP_AIN1对地短路，复位脚也短路，大概是这个情况
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Cherry Zhou：
好的我们跟进给工程师看下。
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Cherry Zhou：
您好，
要想使外部信号连接到 EVM，需要移除驱动器和 MCU 之间的连接。 如果 STEP_AIN1来自外部信号，那么应移除 J6上的分流器，以免其与 MCU 发生碰撞。
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hzj：
测试的时候就是将这几个断开了，设备断电会分流给上位机吗，0x04寄存器DECMOD 我用的是随时强制快速衰减或始终使用混合衰变法，这个有影响吗，因为用着两种，电机震动明显小很多，长时间运行电机发热也小很多。
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Cherry Zhou：
好的明白了，我们反馈给工程师看下。
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Cherry Zhou：
hzj 说：设备断电会分流给上位机吗
您指的具体是什么？
hzj 说：x04寄存器DECMOD 我用的是随时强制快速衰减或始终使用混合衰变法，这个有影响吗，
DECMOD 会在电流调节阶段更改衰减模式。 本应用手册介绍了这些衰减模式之间的差异。 但是，与在电流调节的电机衰减阶段中慢速衰减或混合衰减相比，快速衰减降低电机电流要快得多。
我们重新来捋一下您的问题，现在的情况是： C7、C8电容器短路、C2、C3电容器的电容变为大约100uf，芯片的10引脚 STEP_AIN1短接至 GND，是吗？ 那请问电容器有没有损坏？ 电路板是否变得过热？ 或者能否提供再多些信息？
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hzj：
好的，现在的情况是将芯片从电路板上取下后C7、C8不短路了，基本可以肯定的是芯片的两个引脚对地短路了，现在我买了一片新的芯片换上后短路的地方已经恢复了，但是C2、C3电容在电路板上的测量值是100uf多，是因为几个电容并联导致的吗？，0x04寄存器的DECMOD我这设置成Force fast decay at all times或Use mixed decay at all times这两种，会对设备造成影响吗
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Cherry Zhou：
好的我们反馈给工程师看下。
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hzj：
好的，麻烦您了，还有个事，这个测试板主控M430提供的源码有吗
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hzj：
芯片的第10脚允许输入的最大电流是多少啊
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Cherry Zhou：
我们一起问下，我把英文论坛的链接也给您放上来，您可以看下，因为我个人原因，这周内可能没办法及时转达给您工程师的答复：
e2e.ti.com/…/drv8711evm-abnormal-behavior-after-power-down
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hzj：
好的，非常感谢您的帮助
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Cherry Zhou：
您好，不知道您这边的问题是否已解决？英文论坛的答复对您是否有帮助？
