TI中文支持网Part Number:LMG3410-HB-EVM
从原理图上可以看到，上管的故障信号通过数字隔离器输出。一路接到与门，另外一路接到下管的数字隔离器。输出到FET的栅极控制下管RDRV引脚的外接电阻器大小来控制下管的压摆率。
问题1：为什么只有下管的压摆率是通过上管故障信号控制，上管为什么没有通过下管故障信号控制压摆率的设计？
问题2：当GaN出现故障信号时，改变另外一个GaN压摆率的目的是什么？
感谢您的回答
Johnsin Tao：
HI
我的理解是因为故障发生是关闭上管来控制的。
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7 EEE：
您的意思是当上管出现故障 时，上管会通过内置集成保护机制关断，同时输出故障信号来改变下管的压摆率吗？
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Johnsin Tao：
HI
我觉得是这样。
但是你提到的压摆率，能否指出在datasheet具体出处？
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7 EEE：
截取自原理图中LMG341xR050集成氮化镓的datasheet，该引脚可以通过改变外接电阻器的大小来改变压摆率。
请问原问题的第二个问题该如何理解？
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Johnsin Tao：
HI
应该是Drain电压爬升速度，见datasheet 第11页7.1.3.
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7 EEE：
是的，为什么在这种情况下要减小下管Vds的爬升速度？
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Johnsin Tao：
Hi
你可以看一下15页8.3.5的描述。
