TI中文支持网Part Number:DRV8328
DRV8328ARUYR预驱芯片的工作状态问题，原理图是参考EVM给的图设计的，按照datasheet ，当INHx INLx 均为逻辑0时候，SHx处于高阻态。目前测试情况是：问题1：PVDD供电是24V，上电状态下，INHx INLx未给信号时候，均为低的时候，SHx对地的电压有24.44V，请问正常吗？问题2：测试时，下桥打开正常，当给打开上桥的控制信号时候，可以发现内部高侧PMOS并未导通，此时fault拉低，因为shx对地有电压，当下桥打开的时候，VBSTx已经完成自举有33V的对地电压，请问故障原因？
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TI的专业人员呢？
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Cherry Zhou：
您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
? ? 说：问题1：PVDD供电是24V，上电状态下，INHx INLx未给信号时候，均为低的时候，SHx对地的电压有24.44V，请问正常吗？
您好，没关系的，因为 SHX 引脚上可能会有少量泄漏电流流经高侧 MOSFET 的体二极管，从而将 SHX 拉至 PVDD + 二极管压降。 只要高侧 VGS 电压为 0V ，也就意味着 MOSFET 处于关闭状态，是不会导致任何问题的（将所有电源拉至 24.44V ）。
? ? 说：问题2：测试时，下桥打开正常，当给打开上桥的控制信号时候，可以发现内部高侧PMOS并未导通，此时fault拉低，因为shx对地有电压，当下桥打开的时候，VBSTx已经完成自举有33V的对地电压，请问故障原因？
启动电机时，首先需要先打开低侧 MOSFET ，然后再打开高侧 MOSFET 以便为自举电容器充电，从而增强高侧 MOSFET。 SHX 节点必须通过低侧 MOSFET 拉至接地，以便将自举电容器正确充电至大约 12V ，然后高侧 MOSFET 才能够在不出现故障的情况下打开。
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多谢回复~
问题1里面，“因为 SHX 引脚上可能会有少量泄漏电流流经高侧 MOSFET 的体二极管”，中的高侧MOSFET是指外部的高侧NMOS吗，其泄露回路是指外部上桥NMOS的GHx—SHX-Cgs,然后有部分电流回流到其D端？
问题2里面，我这边先都打开下桥，Cbst已经充电至GVDD-1.6V，然后关闭下桥，此时因为问题的1的原因，Cbst自举至GVDD-1.6V+Vshx约为32V，此时给高侧打开控制信号，发现Cbst会由33V掉至29V，此时fault拉低，我分析可能是由于Rgs(datasheet中的Rpu，用的10K)放电，触发Vbst欠压，问题是dataheet给的最低值是3.6V，我这个才3V。我去掉Rgs后，fault不拉低，上管一直保持打开状态。请问所有保护值里面，给了个rising 和falling阈值，请问这两个值怎么理解？Rpu是否必要，需要用大于10k的电阻吗？
问题3 过流保护脚，我通过100K电阻接至GVDD,测试的VDSLVL电压值6.7V大于手册给出的最大值，请问正常吗，电压异常的原因是什么？
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Cherry Zhou：
好的收到了，应该下个工作日给您答复哈。
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Cherry Zhou：
? ? 说：问题1里面，“因为 SHX 引脚上可能会有少量泄漏电流流经高侧 MOSFET 的体二极管”，中的高侧MOSFET是指外部的高侧NMOS吗，其泄露回路是指外部上桥NMOS的GHx—SHX-Cgs,然后有部分电流回流到其D端？
您好，是的， 高侧 MOSFET 是指外部高侧 NMOS。 从 DRV 流出 SHX 引脚的少量泄漏电流可能流经外部高侧 NMOS 的体二极管，会将 SHX 电压拉高，因为泄漏电流从源流至漏极流经体二极管。 这是预期中的情况。
外部栅极到源极电阻器是可选可不选的，主要是为了在栅极上添加一些无源下拉电阻来帮助栅极保持关闭状态。 如果您需要保持下拉电阻器，建议大幅增加，不要使用最低值，因为 10k 值似乎对自举电容器产生了太大的需求。
自举欠压阈值最小为 3.9V，典型值为 4.45V。详细信息您可以看下数据表中的 Protection Circuits section of the Electrical Characteristics table。
VDSLVL 引脚电压问题工程师正在确认中。
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Cherry Zhou：
Cherry Zhou 说：VDSLVL 引脚电压问题工程师正在确认中。
请问 VDSLVL 引脚处测量的确切电压是多少？ 以及您能否确认下 VDSLVL 引脚上有一个连接到 GVDD 的 100k 电阻器，而没有其他下拉电阻器接地？ 按照数据表， VDSLVL 引脚上的电压应该介于 3V 和 5.5V 之间，并具有 100k 的 GVDD 上拉电压。
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你好，居家办公2个星期。。。 确认100K电阻至GVDD，测试的VDSLVL处电压为6.7V；现在的测试问题是，在桥臂000状态111保持的状态，或者切换时，GLB对应的下管无法打开（其对应的VGS之间无电压或者波形，MOS的G S无击穿可确定，INLB上面有控制电压），其他两路GLC,GLA对应的MOS打开正常，其上能测试到正确电压或波形，请问这个芯片有这种现象发生吗，可能是什么原因，三路桥臂的电路设计是一样的。
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Cherry Zhou：
您好，和您确认下，不知道您这边的新问题是否已解决，看到您点击了已解决按钮。
