TI中文支持网Part Number:LM5116
LM5116,输入电压50V，输出电压24V 当RDEMB设置为10K时，轻载情况下，电感发热严重，达到100度。 当RDEMB设置为0R时，电感发热40度恒定。
看手册描述，RDEMB为选择DCDC开关模式，RDEMB=10K时为同步整流模式，按照理解这个情况下效率应该更高。
双MOS的DCDC应该是同步整流，设置这个二极管模式的意义是什么？
Johnsin Tao：
HI
关于DEMB模式的描述见datasheet 第19页。这个在轻载时，低边MOS不启动，依靠其二极管导通（减少了驱动信号的功耗）。
目前出现轻载下，电感发烫，应该是这个时候环路不稳定定造成电感自激导致的异常。（看一下这个时候输出是否有较大波动？）
从2方面确认，首先借助webench在线仿真确认电路，不过一般这种情况可能和layout有些关系，建议你结合datasheet layout要求对照一下你的layout。
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您好，感谢您的回答。如下图是我layout部分。
我抓取了输出波形，纹波300MV，这个纹波不算太大，目前是轻载，毫安级别的电流。
如下图是上管G级对GND。
如下图是下管G对GND。
如下图是SW引脚波形
。
下图发热图
ti的webench在线仿真并没有这颗电阻，而是下管选了一颗体二极管电流很大的mos，这个推荐设计就是把下管当二极管在用。
目前我的问题是RDEMB换成0R目前电路正常，纹波几十MV,官方推荐的也是不放电阻，但是这个电路的初衷应该是同步BUCK，高效率，我目前找不到我哪里有问题，麻烦指正一下。
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Johnsin Tao：
Hi
如果不考虑轻载效率是可以换成0欧姆电阻， 我比较担心的是这一块的layout影响。
其次纹波是有些大了，一般轻载下50mV就比较大了，正常带载30mV以内。
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hi
300MV的纹波是大了一点，但是也没出现异常杂波，比如震荡什么的。频率105Khz和MOS的开关频率一样，应该此刻就是MOS调制的波形，这个波形再提升一下开关频率应该能改善。板卡为四层设计，中间两层全是GND，上个回复有附了顶层和底层的PCB图。走线和布局已经尽可能的注意，下一个版本我有改版计划，但是目前不知道优化哪里，麻烦指点一些！
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Johnsin Tao：
Hi
datasheet第三十三页有提供参考layout，以及详细说明，建议你严格按照这个来做。
