TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:TPS2410, LM5051, LM7480-Q1, LM5050-1, LM5050-2, LM74700-Q1, LM7481-Q1, TPS2412
问：
理想二极管控制器或 ORing 控制器的栅极电压低，并且 MOSFET 未得到完全增强。
相关产品：LM74700-Q1、LM7480-Q1、LM7481-Q1、LM5050-1、LM5050-2、LM5051、TPS2410 和 TPS2412
Cherry Zhou：
背景： 理想二极管控制器和 ORing 控制器以三种不同的运行模式控制外部 N 沟道 MOSFET，如图 1 所示。
图 1：理想二极管控制器 LM74700-Q1 的栅极驱动模式 正常运行期间，控制器以稳压导通模式或完全导通模式运行。在稳压导通模式下，线性稳压方案在 MOSFET 源漏极两端保持非常低的正向电压。LM74700-Q1 将 MOSFET 的正向压降调节至 20mV（典型值）。LM5050-x 和 LM5051 稳压正向压降为 22mV（典型值），TPS2410/12 调节至 10mV 正向压降。请注意，在较高的负载电流下，控制器将进入完全导通模式，并且 MOSFET 会得到完全增强。
答： 在线性稳压控制中，MOSFET 的正向电压通过根据负载电流控制栅极电压进行调节。更准确地说，为了调节正向电压，控制器的栅极驱动通过控制 MOSFET 的 VGS 来改变 MOSFET 的 RDS (ON)。
线性稳压方案：
IN-OUT 大于稳压正向电压时，增加 VGS 栅极电压，减少 MOSFET 的 RDS (ON)
IN-OUT 低于稳压正向电压时，降低 VGS 栅极电压，增加 MOSFET 的 RDS (ON)
IN-OUT 大于完全导通阈值时，在 VGS 栅极电压大于 10V 的情况下完全增强 MOSFET
IN-OUT 低于反向关断阈值时，通过将栅极拉至源极 VGS = 0V 来关断 MOSFET。让我们以 LM74700-Q1 为例来说明线性稳压方案。LM74700-Q1 的稳压正向电压为 20mV，完全导通阈值为 50mV，反向关断阈值为 -11mV。
MOSFET DMT6007LFG 的正向传输特性，即 VGS 与 RDS (ON) 的关系，如图 2 所示。在 3A 额定电流下，要将源漏极电压调节至 20mV，控制器需要保持 RDS (ON) = 20mV/3A = 6.67mΩ。从正向传输特性来看，RDS(ON) 6.67mΩ 对应于 VGS 4V，因此控制器在 3A 电流下会将 VGS 调节至 4V，如图 3 所示。
接下来，在 1A 负载电流下，控制器需要保持 RDS (ON) = 20mV/1A = 20mΩ。RDS (ON) 20mΩ 对应于 VGS 3V，因此控制器在 1A 电流下会将 VGS 调节至 3V，如图 4 所示。
最后，在 5A 高负载电流下，控制器需要保持 RDS (ON) = 20mV/5A = 4mΩ。RDS (ON) 4mΩ 对应于 VGS >10V，因此控制器会完全增强 MOSFET 并将 VGS 调节至 11V，如图 5 所示。
图 2：MOSFET DMT6007LFG 的正向传输特性数据表
图 3：LM74700-Q1 在 3A 负载电流下驱动 DMT6007LFG
图 4：LM74700-Q1 在 1A 负载电流下驱动 DMT6007LFG
图 5：LM74700-Q1 在 5A 负载电流下驱动 DMT6007LFG
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user5180584：
不好意思，我想问一下，在轻负载条件下，为社么要采用线性稳压方案，轻负载模式下完全导通的话有社么弊端，谢谢！
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Cherry Zhou：
您好，建议您把您的问题单独发布一个新的帖子，会有专门的工程师来跟进您的问题：
e2echina.ti.com/…/power-management-forum
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user5180584：
谢谢！
