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最近在使用Power Stage Designer Tool 4.0的时候遇见了一些问题，并个人提出了一些建议
1、在含有多个MOS的情况下，不同MOS 的导通时间关系，有点不明确。比方说同步BUCK含有两个MOS电路，全桥电路含有四个MOS等等。
这些MOS的上下桥臂导通时间以及死区时间不太清楚，比方说是互补的，还是二者使用相同的触发信号。
或者软件设计之初，就是默认忽略了这个死区时间，以及MOS的导通与关断速度都是理想的 。
2、希望新引入一个电路拓扑模型，叫：四管同步BUCK-BOOST，俗称四管升降压。正因为我感觉这个工具非常好用，所以才提出了这个建议。
这种电路拓扑结构，能够实现宽范围的输入输出，并且电流可以做大，希望通过这个软件设计出来一些关键的参数。
3、想知道元器件关键参数的推荐选型，比方说流经MOS，或电感的电流有有效值，平均值，这些参数被列出来，然后我们在设计电路的时候，可能想知道一个具体的值，或者说在这一个电路中应该选择多少倍的冗余，应该预留多大的缓冲余地。还有二极管的回复时间应该小于某一数值，是否属于快速恢复二极管的分类。
Johnsin Tao：
HI
能否以具体的芯片的来说明一下？
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Zhenkai Wu：
我这里可能只是想从基本的电路拓扑结构出发，来探究各类各种模型的异同点。
具体的芯片的话，我还没有使用，也就是单纯的研究电路拓扑结构的一些情况。
我以后是想使用C2000系列的处理器，用软件进行控制，也就是搭建数字电源平台。
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Johnsin Tao：
Hi
你提的是芯片内部控制，例如deathtime控制或者说双驱动互补控制吗？ 这个一般是芯片内部的控制技术，芯片datasheet或者应用文档很少有说明，并且TI也没有单独的出文档说明。
