TI中文支持网Part Number:TMS320C6678
TI的专家好：
想咨询关于EMIF的相关问题：
1.EMIF的Select Strobe Mode和 WE Strobe Mode具体有何区别？
2.EMIF连接NandFlash时需要使用哪种模式？
3.EMIF连接NandFlash的读写时序图是按照用户手册的异步访问流程吗？
Nancy Wang：
1、主要是EMIFCE使能阶段不同，可以看一下截图中的时序
2、异步模式
3、是的， 3.1 NAND Flash Mode也参考看一下
www.ti.com.cn/…/sprugz3a.pdf
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Duan Siyu：
好的，谢谢。关于您的回复，另外还有几个问题请教
1.关于1中，我看两种模式还有关于BE[1:0]#信号的区别，BE#[1:0]信号是被动拉高和拉低的吗？
2.异步模式是包含Select Strobe Mode和 WE Strobe Mode的吧，A1CR寄存器红关于Select Mode的描述，如果bit31 为0是不是就为普通的异步模式？
3.A1CR中关于Turn Around Cycle的描述对于NandFlash访问时，它对应哪个位置的时序要求？
4.当发起NandFlash读取的时，NandFlash的数据是如何加载到EMIF的数据区的，是每次对0x70000000 Data Phase操作时加载到EMIF数据区的吗？
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Nancy Wang：
1、是emif口控制的，自动的。
2、是的
3、是两次访问之间的时间间隔
Number of EMIF16 clock cycles between the end of one asynchronous memory access and the start of another asynchronous memory access, minus one cycle
4、不是加载数据，nand flash命令/地址/数据复用，不可以直接通过地址访问，您可以网上搜索看一下nand flash的读写原理。
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Duan Siyu：
好的，谢谢。
对于问题2，在文档中有如下描述，可以通过BE#[1:0]连接两个8bit位宽的RAM设备，除了外部硬件的连接方式不同，软件中需要特别区分吗？
对于问题3，在NandFlash中两次访问之间的间隔，是指两次指令（command、address、data）之间的间隔吗？
对于问题4，可能是我表述的问题，我查阅过相关的NandFlash读写原理，想直到在指令和地址发送给Nand后，数据是如何到达对应的数据区的，是因为读取响应的Data Phase地址后到达数据区的吗？
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Nancy Wang：
我详细看过之后，再给您回复。
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Duan Siyu：
好的，感谢
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Nancy Wang：
1、软件不需要区分。
A1CR中Asize用来配置位宽。
2、
Duan Siyu 说：是指两次指令（command、address、data）之间的间隔
我的理解应该是，可以实际测试测波形看一下。
3、你是指 3.4 Using ALE and CLE 部分吗？
这里主要是假设EMIFA11/ EMIFA12 分别接 ALE 和 CLE的情况，主要是控制CLE，ALE拉高拉低分别做地址/命令/数据锁存。
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Duan Siyu：
好的。谢谢，
对于Using ALE and CLE ，我理解的意思是当发送数据读取指令后，读取使能OE#拉低，并会根据时序配置将根据Asize位宽的数据所存在Data Phase 0x70000000位置吗？
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Nancy Wang：
可以这么理解。
您可以参考STK软件包中的emif例程看一下，其中有关于nand flash的读写代码。
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Duan Siyu：
好的，感谢。
