TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:DRV8350
你好 设计图纸如下
Annie Liu：
您的设计图看起来与Hiram问题中的相同：https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1000569/drv8350-drv8350
请您尝试：
根据这些MOSFET的额定值，不建议您使用大于100 mA的IDRIVE源 （参看这个FAQ)
VGLS电容器接地到GND，而不是PGND。 VGLS需要接地至PGND，因为它与VM和MOSFET的GND相同。 DRV8350 GND引脚（30）也应连接到PGND。
GND和PGND如何在PCB上连接？ 建议连接应尽可能靠近DRV8350。
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user6601562：
非常感谢，那芯片损坏是什么内部原理导致的呢，我们发现坏的单板VGLS脚状态阻抗都是异常的，怀疑内部的输出VGLS的LDO损坏的，可以帮忙解惑吗
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Annie Liu：
1. 在高栅极驱动电流的情况下，您可能会使稳压器过载，或者使耦合器回到稳压器中，从而泵浦电压并导致损坏。 耦合路径是SHx至GLx跨外部电容器CGD的路径，然后经过DRV835x的源极驱动器进入VGLS稳压器。
2. 如果VGLS电容器未非常紧密地连接到VGLS引脚，则额外的寄生电感会导致电容的有效值降低，并且纹波会损坏VGLS LDO。
3. 如果VGLS电容器GND与MOSFET的PGND和GND没有紧密相连，则可能会产生较长的走线，从而将电感引入VGLS环路。 导通或关断栅极驱动器时，这可能会导致过大的纹波，并可能造成损坏。
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user6601562：
好的 多谢！
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user6601562：
annie 您好，我们把栅极的2.2ohm电阻改成75ohm后就不会出现这个问题了，这是什么原因呢
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Annie Liu：
从2.2欧姆更改为75欧姆会降低栅极驱动电流。这与我上面的第一个要点有关：
在高栅极驱动电流的情况下，您可能会使稳压器过载，或者使耦合器回到稳压器中，从而泵浦电压并导致损坏。 耦合路径是SHx至GLx跨外部电容器CGD的路径，然后经过DRV835x的源极驱动器进入VGLS稳压器。
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user6601562：
您好 可是我们在软件上调整了IDRIVE的大小，从2000ma调整到100ma 整个过程波形没有变化,情况也没有改善，不得已加大了驱动电阻，但这样会让死区很长
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Annie Liu：
调整串联电阻和调整IDIRVE具有相同的效果。请确保您正在调整source 和 sink settings（有四个不同的寄存器）。例如， sink setting 可以从2000mA降低到100mA，而source setting可以从1000mA降低到50mA。
Original setting: 2.2 ohms, 1000mA/2000mA:
2.2 ohms & 1000mA IDRIVEP –> 833mA source (too high)
2.2 ohms & 2000mA IDRIVEN –> 1429mA sink (too high)New setting: 75 ohms, 1000mA/2000mA:
2.2 ohms & 1000mA IDRIVEP –> 127mA source
2.2 ohms & 2000mA IDRIVEN –> 137mA sinkNew setting: 2.2 ohms, 100mA/100mA (did the customer adjust both the sink and source IDIRVE?):
2.2 ohms & 100mA IDRIVEP –> 98mA source
2.2 ohms & 100mA IDRIVEN –> 98mA sink
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user6601562：
好的，非常感谢，我们再检查下程序
