TI中文支持网Part Number:BOOSTXL-DRV8323RH
HI:
我想知道DRV8323RH芯片的VDS保护和VSENSE保护的区别，两者都是通过采集电压得到电流的，这两个功能是否重复了，或者有别的用途？
Annie Liu：
在 VDS 过流保护中，器件主动将每个 MOSFET 两端的电压（RDSon * 电机电流）与预设阈值电压 (VDS_OCP) 进行比较，如果 FET 两端的相应电压降超过该阈值电压达一定量的去毛刺，则触发 OCP_MODE 时间（tOCP_DEG）。 由于这是硬件变体，默认情况下 tOCP_DEG 值为 4 us，VDS_OCP 值可通过硬件电阻通过 VDS 引脚进行配置。
Vsense 过流保护使用不同的阈值 (VSEN_OCP) 和相同的去毛刺时间来监控带有 SPx/SNx 引脚的外部电流检测电阻器 (Rsense) 上的压降，以触发 OCP_MODE。
因此，这两种保护功能的功能相同，但具有不同的阈值和不同的测量位置。 Vsense 是在 SPx 和 SNx 引脚上测量的（Rsense * 电机电流）。 下图可能有助于区分每个测量在半桥上的位置：
