DRV8343-Q1: 24v电机驱动方案烧芯片

开始将转速调为7000转，当我突然将转速变为0后，就会烧芯片，不知道是什么原因导致

Annie Liu：

当您滑行或减速电机时，来自电机的能量将提升电机电源电压。这会导致 VM 和 VDRAIN 电压增加超过 65V 并损坏器件。您需要添加更多大容量电容来吸收电机能量，或者添加更好的电机减速控制以防止电源泵送。

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user4116796：

我测试过，电源电压呀升到了30多V，没有超过65V

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Annie Liu：

您是如何将速度设置为零？是在assert ENABLE 还是关闭任何反极性保护设备？请问是否方便分享您的原理图？

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user4116796：

直接将PWM关闭。原理图如下：

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Annie Liu：

不建议将电容器与栅极驱动限流电阻并联。这可能会产生意想不到的影响。 确实看到有一个从 +24V_P 到 +24V 的反向阻断二极管。

您能在示波器上检查 VCP、VM 和 VDRAIN 减速时的电压吗？

你能发一张损坏 IC 的图片，以便我检查损坏的位置吗？

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user4116796：

有些IC有明显的烧毁痕迹，就在第四脚VM塑料封装2mm左右吧，还有些没有烧毁痕迹但是IC也是坏的。电容器与驱动电阻并联会怎样？这公司这个电路好像写过专利的

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user4116796：

还想问下，在什么情况下会导致nfault上电为低电平

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Annie Liu：

您能发一张损坏 IC 的图片吗？我可以用模具覆盖图像，并更准确地查看损坏发生的位置。

当电容器与驱动电阻并联时，它会导致一些电荷从 MOSFET 栅极耦合到 GHx 或 GLx 引脚。 这种电荷注入可能会提升电荷泵并可能造成损坏。

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user4116796：

这就是被烧毁的芯片

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Annie Liu：

该损坏位置正好位于电荷泵和 VM/VDRAIN ESD 的顶部。

可能的故障模式有：

VM/VDRAIN 过压导致 ESD 损坏
VCP 过压导致 VCP-VM 损坏（能否在运行过程中检查 VCP 电压是否高于预期？）

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user4116796：

好的，芯片买回来在测试，之前抓过VM波形，如图片

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Annie Liu：

VM 看起来远高于>60V。 或者探头上的scaling 是错误的？

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user4116796：

没问题啊，我在直线的位置是24V，这个看上也到不了60，37V左右

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Annie Liu：

我想我们可以说VM超过abs max rating的情况不太可能。

VCP 怎么样 – 你能检查一下 VCP 电压是否高于预期吗？