DRV8874-Q1: 电流过流保护问题

Cherry Zhou：

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Cherry Zhou：

LONGCHAO FENG 说：当输出电流达到 Itrip时，经过多少时间后Iout才会下降？

无论是Fixed Off Time电流斩波还是逐周期电流斩波，都是取决于所使用的电流调节衰减模式。

如果是固定的关闭时间，电流会被禁用，因为 Toff 为 25us；但如果是逐周期，会保持关闭状态直到下一个 PWM 周期从输入进入（请注意由于由于该原因，逐周期调节不支持 100% 占空比，因为它需要上升沿才能正常工作）。

因为电流斩波模式， IMODE 引脚可以设置计时，更多详细信息可参阅数据表 7.3.3 部分：

LONGCHAO FENG 说：过流保护只有这一种保护？无下一级保护了吗，如果这一级失效后还有过流保护么

一共有两级过流保护，第一级是数据表7.3-3 节中描述的电流调节；第二级是不可配置的过流保护：每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路可限制器件的峰值电流，即使在硬短路事件中也可以。如果输出电流超过过流阈值 IOCP ，而且持续时间超过 tOCP ，那 H 桥中的所有 MOSFET 会被禁用，然后nFAULT 引脚驱动变为低电平。这一点同样也取决于上表所示的 IMODE 引脚设置。

在自动重试模式下，MOSFET 会被禁用，以及 nFAULT 引脚在 tRETRY 持续时间内会变为低电平。在 tRETRY 之后，MOSFET 会根据 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚的状态重新启用。 如果过流条件仍然存在，那么周期重复；否则器件会恢复正常工作。

在锁存关闭模式下， 直到通过 nSLEEP 引脚或移除 VM 电源复位器件之前，MOSFET 都会保持禁用状态， nFAULT 引脚也是低电平。

在Half Bridge Control模式下，OCP行为会有些变动。如果检测到过流事件，只有相应的半桥会被禁用，nFAULT 引脚为低电平。另一个半桥会正常工作。这样的话器件能在驱动独立负载时管理独立的故障。 如果在两个半桥中都检测到过流事件，两个半桥都会被禁用，nFAULT 引脚为低电平。

在自动重试模式下，两个半桥会共用相同的过流重试计时器。 如果在一个半桥先发生过流事件，然后在次级半桥中发生过流事件、但是是在 tRETRY 过期之前，第一个半桥的重试计时器会复位为 tRETRY ，并且两个半桥将在重试计时器过期后再次启用。

LONGCHAO FENG 说：马达100%duty启动瞬间有一个16A的Inrush current，持续时间0.3S，对DRV8874-Q1有无影响？会造成损害么？会不会造成马达无法启动？保护机制是怎样的原理

最有可能出现以下情况：如果电流上升的速度快于电流斩波的生效速度，那么就会触发过流保护。请一定注意， Ichop 不等于 IOCP。电流上升的速度取决于输入电压和电机的电感，所以没办法确定最先触发什么。 工程师也不太清楚为什么重试模式过流保护无法处理这个问题。 不过您只要确保将 IMODE 引脚设置成有自动重试功能就行。

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