TIDA-01605: A little confused about the Two-Level Turnoff Protection

Hi!

I have some questions about the Two-Level Turnoff Protection.

First, Equation 15 shows the voltage of first-level turnoff is 11.9V, why do the Bottom graph of Figures 7 and 8 show around 8V?

Second,  why gate voltage reached 5.5 V and the second-level turnoff process would starts? This gate volatage refers to the Q1 or the SiC MOSFET?

Amy Luo：

您好，

公式15算的是G2到-4Vb之间的电压， Figures 7 and 8 底部曲线是 SiC MOSFET的gate-to-source  之间电压，参考点不一样

我理解的是这里的5.5 V电压应该是根据R22 and C36延迟时间估算的吧，也就是说第一级关断保护后R22C36延迟时间常数后，就会启动第二级关断保护

  这里的gate volatage应该指SiC MOSFET的

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Yifei Wang：

您好，感谢您的回复，

但我还是有些不解，我认为公式15最终得到的电压应该是以s2为基准的电压（0V)，因为它在最后减了4V。G2输出为15V，与（-4V）的压差为19V，经过R13和R10的分压后为15.9V，之后再减去4V应该就是以0为基准的电压吧。这是我的理解，如有错误，希望能得到您的指导。

关于第二个问题，我不明白为什么会到达5.5V。在R22和C36的延迟阶段，此时SiC MOSFET的gate-to-source  之间电压难道不是固定在了第一级关断电压附近么，要么是11.9V，要么是图上所画的8V左右（源于第一个问题），为什么还会下降呢？

期待着您的回复，谢谢。