ads8568的gain drift如何降低

如题，看数据手册，ADS8568内部电压基准有10ppm的温漂。gain drift是6ppm，但是是referenced to VERFIO。那是不是说gain drift的绝对值可达16ppm？

ADC的gain drift不是一般来自于ref的温漂吗？为啥还会有额外的温漂呢？

另外，如何降低这个温漂值呢？我打算采用一个低温漂的ADR4525D作为外部参考，它的温漂是0.8ppm，这样可以减少ADS8568的温漂吗？

Amy Luo：

您好，
根据ADS8568的功能框图，可以看出其gain error有一部分是来自ADS8568内部基准电压的缓冲器的失调电压，这个gain error drift应该也是有一部分来自这个缓冲器造成的温漂。因此这样看这个±6ppm/℃是基准电压和缓冲器共同作用的结果

因此，您使用温漂是0.8ppm的外部参考电压，直接连接到REFAP, REFBP, REFCP 和 REFDP，是可以避免内部缓冲器的温漂，可以减少ADS8568的总温漂
更详细描述见：
e2e.ti.com/…/how-much-gain-error-performance-can-be-improved-of-ads8568-if-we-used-an-external-reference—ref5025

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jiaxing lei：

我看TI的EVM，外部参考电压是接到REFIO引脚的，可以直接接到REFAP等引脚吗？内部缓冲器是一个运放，直接将外部参考电压接到REFAP，这不是相当于将一个电压接到运放的输出引脚了？这样可行吗？

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Amy Luo：

直接将外部基准电压连接到运放的输出引脚应该是没问题的，我考虑是否需要外加一个低输入失调电压的buffer，毕竟直接连接到REFP等引脚，跳过了ADS内部的buffer，这个问题我再确认一下

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user1569241：

再加缓冲器也没问题，主要担心的是将电压加在运放的输出端，会产生短路现象吧。

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Amy Luo：

还是建议不要跳过ADS内部的buffer而使用外部的，使用内部的应该是较优的， 使用外部的会引入额外的干扰且成本较高。可以使用外部的低温漂基准电压+内部buffer的方案，ADS8568内部基准电压的10ppm的温漂还是典型值，还没写出最大值，因此是可以减少ADS8568的温漂

另外，减少产品的整体温漂还需考虑信号链中其他元件的温漂性能，比如选择低温漂的电阻元件

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user1569241：

多谢！我也打算采用这种方案！