TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:BQ76940
通过阅读官方的参考设计原理图：
我发现功率MOSFET用作高边驱动时，bq76940的均衡部分使用的MOSFET器件为 N沟道 MOSFET，当功率MOSFET用作低边驱动时bq76940的均衡部分使用的MOSFET器件为 Ｐ沟道 MOSFET．
问：
如果我功率MOSFET用作低边驱动时，均衡部分MOSFET器件是否可以使用N沟道MOSFET？如果不可以，请问为什么？会有那些影响？
如下图：
Star Xu：
您好，无论是高侧还是低侧的balance电路MOS可以用N或者P都可以。
Please note that the 0.22 uF input filter capacitors (Cc) settle faster for less voltage error during balancing. Some reference designs have a connection error showing the VC1 capacitor connecting to VC0, that capacitor should connect to VSS as shown in the data sheet.
,
user6328048：
OK ，非常感谢您的回复。
,
user4745244：
高侧可以用N管？
,
user4745244：
主回路的高侧可以用N管？
