请教关于LM25066使用情况

用LM25066做热插拔线路，由于电流较大，而且为了防倒灌，用了四组背靠背的MOSFET，也就是说LM25066的Pin13 Gate Pin接了8个MOSFET。

现在发现打回来的板子中，已经出现了3片板子发生LM25066坏掉的情况，都是Gate Pin阻抗偏低，换掉IC后，板子OK。三片板子都是在使用过程中发现这个情况，请问这个大概率是什么原因导致LM25066 的Gate Pin损坏？我应该做什么来验证和改善？谢谢！

Johnsin Tao：

Hi能否提供一些波形，例如启动之初的输入，输出，以及g极驱动？

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user6580832：

我抓了开机和关机的波形，VIN ,VOUT, Vgate

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Johnsin Tao：

Hi从波形看是乎没有什么问题。只是芯片驱动损坏，其他都没有问题，不良比率多少（共做了多少片）？

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user6580832：

目前做了30片板，已经坏了三片，这三片板换了LM25066之后，IC Gate阻抗正常，可以正常开机；坏的三片IC都是Gate阻抗偏低；以前我们做过这样的设计，也是60A电流，用了4个MOS并联，量产过从来没遇过LM25066坏的，这一次由于后端有电池，所以为了防倒灌，在之前的4个MOS前加了4个背靠背MOS设计，所以这一次Gate一共接了8个MOS，不知道LM25066对于驱动8个MOS是否有什么风险（gate电流太大？），也有可能是gete电压冲过20V导致这个pin烧坏?

下面是我们这一组设计的线路，如果您方便的话，麻烦您帮忙check一下，看看是否线路本身设计有风险。

我们使用的设计工具是“LM25066_Design_Calculator_REV_C.xlsx”，这是以前代理商给我们的设计工具。

LM25066 FOR 60A.pdf

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Johnsin Tao：

Hi我觉得不应该是8个MOS导致电流过大导致的，原因是这个和一般的电源芯片g极不同，他是恒流充电。相比8个MOS G极等效电容的溶值， 在外加的DV/DT电路同样有个较大的电容在充电。不过你可以确认一下你选择的MOS， 是否Qg都非常大。另外是否可以再做一版验证一下，不增加DV/DT电路，因为你本身MOS 8个，等效起来电容就很大。

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user6580832：

您指的DV/DT电路具体是哪一部分？是下面绿色圈圈中D45,R1668那一部分吗?如果把这一部分断开，那么有可能Vgate上升会更快，这样的话，是不是更容易造成浪涌电流或电压？我们之前调试过，通过增加或者减小C2758来改变Vgate上升的时间。

MOS是CSD17556Q5B，当初选择这颗MOS，是因为它的SOA比较大，没有关注Qg的值；

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user6580832：

Hi Johnsin,
是否有其他的建议，谢谢？
您指的DV/DT电路具体是哪一部分？是下面绿色圈圈中D45,R1668那一部分吗?如果把这一部分断开，那么有可能Vgate上升会更快，这样的话，是不是更容易造成浪涌电流或电压？我们之前调试过，通过增加或者减小C2758来改变Vgate上升的时间。