TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:TPS62130A
hi
我目前在设计一个EMC测试主板，其中电源部分选择了TI的LM5141QRGERQ1做第一级降压，LDO做第二级降压
选择LM5141QRGERQ1是参考了TI网站上对其进行EMC实测的数据，如附件P16，问下是否有30MHz以下频段的EMC测试数据。
是否有设计上在辐射发射这方面更优于LM5141QRGERQ1的其他方案可推荐的呢？
另外，我们内部有其他工程师提出选择LDO替代LM5141QRGERQ1，理由在于LDO在辐射发射方面优于BUCK，请问下这两种方式的优劣和TI是否有合适的LDO推荐，谢谢。
Johnsin Tao：
Hi没有EMC数据的，这个关于到客户实际的电路设计，以及PCB。 （即便有TI的评估版和你的设计 ，layout都一直，TI也没有EMC的数据的）按照你的条件，不需要选择最大65V这么高输入的降压芯片的，而且还是外部MOS，设计负载，直接选择同步内置MOS的降压芯片，如TPS62130A之类即可。同时要说的是如果你这个5V没有其他用途，建议改为3.6V输出，非否LDO的功耗很大的，1.2V输出都超过1W了。
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Johnsin Tao：
HiDC/DC效率较高，做得好效率都可以95%左右，功率低，芯片温度也低。LDO的效率就是输出电压除以输入电压，所以一般效率很低，除非输入输出压差很小，否者低效也会带来大功耗，导致芯片发热严重。DC/DC相对于LDO, 纹波，Nose都大很多，所以很多时候为最求尽量小的纹波noise，可以先DC/DC， 再加LDO.
