LM5069 增加dv/dt mos烧毁

加dv/dt电路，负载为纯电容

负载测试正常，但负载电机或恒流负载基本就是上电Q5就直接击穿，原理图如下：测试空载时Q5的G极波形，弥勒平台4.5V持续120ms，时间太长，见下图1通道波形

请教一下，我要增加dv/dt怎么解决恒流或电机负载时这种故障

Johnsin Tao：

HI将输入输出的TVS管加上，同时输出要有一个较大容值电容。感性负载的话，建议将MOS电流适当选择大一点。