請教 BQ25731 OTG Boost 狀態 RAC電阻位置

請教 關於BQ25731 的電阻位置

SPEC 建議RAC電阻B 位置 放在主要大電容C & MOS Q1 A 之間 .

但我的應用 , 輸入電流相對小 , 最嚴苛的條件是在OTG 輸出狀態 , 且處於Boost mode .

我們希望在OTG 輸出狀態 可達到最高效率 . 

理論上 boost 輸出電容應該要貼近boost 輸出MOS ,  想請問是否可以將RAC電阻B位置 與 主要大電容C 位置交換? 

還是建議維持SPEC建議位置?

Thanks!!

Star Xu：

您好，正在查询，稍后回复。

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Star Xu：

您好,在升压模式下，Q1，Q2，RAC和输出电容形成输出高di / dt环路，因此最好最小化封闭区域以实现最佳性能（最低EMI）。
实际上最好将RAC靠近电容器放置。 该部分中的元件越近，电路的电阻损耗就越小。 但是，根据功率级别，我建议它们之间有足够的间距以帮助提高热性能。
数据表的第87页上有一些有关BQ25731布局的准则：
www.ti.com/…/bq25731.pdf

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kolt chien：

所以 ,想請問是否可以將RAC電阻B位置 與 主要大電容C 位置交換?
Q1 輸出先經過輸出電容 再到RAC ,
謝謝

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Star Xu：

您好，不建议这样做。 从当前的角度和效率的角度来看，即使有好处，我认为也可以忽略不计。
EVM是经过测试的设计，因此我建议您参考EVM的设计。