TI中文支持网Part Number:BQ24610
目前我在使用BQ24610RGER 这个芯片，HIDRV和LODRV用的是30V/6A SOT-23的N管，在生产测试后，发现有四片的这两个管子被击穿。
从现象上看，是电压击穿的、输入的DC电压是25.6V，能否告知是什么原因引起的？是管子耐压不够？还是什么原因？
我们担心大批量生产出问题。
Star Xu：
您好，评估板的上下管MOS的规格如下，MOSFET, NChan, 40V,50A, 4.5millohm，建议使用跟评估板推荐的MOS规格差相似。
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James Lee94：
评估板子上选择的是SIS412DN这个管子，30V/12A的管子？这个能否详细说说产生的原因？
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Star Xu：
您好，是否方便提供电路？
具体是在什么情况下发现MOS击穿的？
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James Lee94：
目前是在试产的时候，发现四个电路被击穿，同时BQ24610有四个损坏。p管用的30V /15A 充电的管子用的是30V/6A.
发现四个芯片被损坏，还有就是有四个板子的充电MOS管全部被损坏(Q4,Q5)
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Star Xu：
您好，您的问题在E2E英文论坛已有工程师跟进，请继续关注
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1009749/bq24610-bq24610-high-side-fet-broken
