CSD19536KTT: 大电流MOS管的散热问题与驱动问题

我想使用UCC23511-Q1 芯片驱动此款MOS管（272A），MOS管使用高端驱动，将要通过120A的电流，不知道这种驱动方式是否可以？而且我准备用两个MOS管（相当于分流保护）并联在一个驱动芯片上，不知道是否可以？

此MOS管最理想的电阻是2mR,经过120A的电流，功率有近30W，这是D2PAK封装的MOS管，请问如何散热？30W功率都快到电烙铁。还有一款MOS是2.7 mOhm的电阻 封装是TO220，热功率接近40W，请问哪种封装好散热？ 

此电路不是PWM控制，而是控制电源输出，希望能在1ms内导通，导通后最多1S就会切断，几个小时内都不会再导通，请问这种上百A电流的电路板如何设计？如果只工作1s 还用设计风扇吗？

我只找到了最高100V的NMOS,请问如果需要更高的电压就不能使用NMOS了吗？

谢谢

Johnsin Tao：

Hi

    应该不能这样驱动吧，驱动高边MOS需要带chargepump的高边驱动，或者CT变压器来做。

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haixin chen：

不可以吗？用隔离电源给驱动芯片的4和6脚一个12V的电压，芯片导通时，mos管 栅极 比 源极 高12V，当然比漏极也会高12V vgs电位合适就应该能导通吧

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Johnsin Tao：

Hi

    没有看到这样的参考电路。