[FAQ] LM74700-Q1: LM74700-Q1、LM7480-Q1 与 LM7481-Q1 有何区别？

理想二极管控制器 LM74700-Q1、LM74800-Q1、LM74801-Q1 与 LM74810-Q1 有何基本区别？

Annie Liu：

背景：

LM74700-Q1 理想二极管控制器在反向电池保护、反向电流阻断和 ORing 应用中，通过驱动 N 沟道 MOSFET 来仿真理想二极管。当控制器关断 MOSFET 时，体二极管在正向路径中传导电流，即电源路径未被切断。

在许多应用中，需要在过压条件或低功耗睡眠模式期间切断电源路径。因此，需要另一个 MOSFET 与背对背连接的“理想二极管”MOSFET 一起，在关断期间提供过压保护或断开负载。如常见问题解答 5 中所述，LM74700-Q1 不适合驱动两个背对背连接的 MOSFET。

LM7480-Q1 和 LM7481-Q1 系列理想二极管控制器采用业界先进的双路栅极驱动技术来控制两个背对背 N 沟道 MOSFET，一个 MOSFET 使用与 LM74700-Q1 相同的方式仿真理想二极管，另一个 MOSFET 用于断开负载和提供过压保护（包括未抑制的负载突降保护）。此外，LM7480-Q1 和 LM7481-Q1 均支持通用控制拓扑：共源极拓扑和共漏极拓扑。

共漏极 (CD) 拓扑和共源极拓扑的简化图如图 1 所示。共漏极拓扑更适用于需要运行“常开”电路的应用。CAN/LIN 通信 MCU 通常要求在低功耗状态下常开，需要共源极拓扑来支持 200V/100V 无抑制的负载突降。

图 1：简化图：LM74700-Q1 CD 和 CS 拓扑

比较：

采用 CD 拓扑的 LM74700-Q1 和 LM74800-Q1 典型应用电路如图 2 所示。 

图 2：采用 CD 拓扑的 LM74700-Q1 与 LM74800-Q1 典型应用

下面，表 1 详细比较了所有四个控制器的特性和性能。

表 1：理想二极管控制器比较

LM7480-Q1 和 LM7481-Q1 具有更高的电荷泵容量，可驱动栅极电容高于 LM74700-Q1 的大型 MOSFET。对于更高功率的应用，建议使用 LM74810-Q1。表 2 重点介绍了基于 ECU 电源要求的推荐器件。

表 2：基于 ECU 电源要求的器件选型