TPS65131: Inrush current影响因素验证

Hi，使用TPS65131的一个产品在上电时因为VPOS/VNEG的抽载生成约1A的冲击电流；

      根据其他项目经验，在Boost 电路中有MOS管漏流现象导致冲击电流过大。

现想验证TPS65131中的MOS管是否存在同样的问题导致较大Inrush current，如图红圈部分，请问当前猜想合理吗？在验证方式上是否有相关建议？

谢谢~

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Johnsin Tao：

Hi

    我这边还没有看到"在Boost 电路中有MOS管漏流现象导致冲击电流过大", 一般的inrush,主要是输出电容的充电导致,很多芯片都在启动时有电流限制来降低inrush,或者偏执输出等等方式,但是PS65131应该是没有这些设置的.

    这个芯片只有启动的软起动1mS来限制输入inrush电流.