TI中文支持网Part Number:REF5030
项目需求的电压基准为3V在温度范围-10℃~+55℃内变化在1mV以内，计算温漂5ppm/℃左右，所以选用了REF5030IDGK,标称3ppm/℃。
但实测输出电压变化了20mV，和标称差距较大，希望能得到原因，或请教一下此器件用法。
测量方法为，包含REF5030的PCB在温箱内，使用导线将3V引到外部ADC采集卡上，数据1S一次上报PC，
测试数据EXCEL图形如下，为-10℃升55℃降-10℃再升55℃的过程，可见温度漂移在25mV
原理图如下
版图布局如下
在上图VOU处向外引线。
就算版图布局不理想，测试环境不严谨，有差距是可接受的，但这差距太大了，请教大神们，谢谢
Johnsin Tao：
Hi
datassheet没有提供标准的芯片测试电路，但是建议你严格按照datasheet或者评估板的电路来测，输入2.2~10uF, 输出22uF~47uF(1~1.5ohm ESR), Io=0mA.
Temp脚悬空来测试， 看一下这个时候的温漂？
其次你测试时图标中的横轴代表的是测试时间（或者是1S对应一次的测试次数吗？ 从示数看高低变化有些不对）
其次在温度范围内，输出电压的精度满足芯片输出精度吗？ 20mV的变化，精度上可能就不对，所以很可能是测试的问题（包括准确度，测试电路影响，以及芯片layout)
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zhao zhang：
输入是两个0805的4.7uF，输出1206封装的X5R的47uF，ESR未知，I0=0mA？目前没接任何电路，直接接的万用表，TEMP悬空了，但是还是温漂25mV。精度确实也不对，校准合格的万用表测试3.011V~3.035V，按照手册0.05%的精度才3.001V。
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zhao zhang：
已经试过多种输出电容，结果无太大的变化，另外您指的示数高低哪里不对？
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Johnsin Tao：
Hi
就是你第一个图标的电压变化。
其次我觉得测试准度也要注意，一般的万用表应该难以符合这个电压精度的测量。
高精度的ADC是可以测量的，但是要注意校准（最好是多次校准，测量值可以相加平均来得到，排除noise带来的影响(即有效位）
主要是输出电容ESR要注意下。一般陶瓷电容的ESR是几个mohm~十几个mohm，甚至更大一点点，但是距离1ohm太源。
其次layout确认也有影响，包括选择纯净的GND, 输入输出电容尽量靠近芯片Vin/Vout脚等等，可以参考datasheet。
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zhao zhang：
关于准度问题，万用表档次不够确实可能不准，就当他真不准吧，但是当前不关注准确度，只关注温漂，反应的温漂趋势还是有的。
关于温漂，目前只能两方面改进再测试了，1、不确定电容ESR情况下，多个输出电容并联是不是会减小ESR，2、按照datasheet重新投图了。
感谢您的回复，等我准备好了再测试
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Johnsin Tao：
Hi
我比较但是是精度影响，因为这个是mV级别的测量， 而万用表测量的均方根值(有效值），并不能反应出输出电压的变化。
另外建议你也尽快在芯片官网申请一下样片，避免芯片质量问题。
