TI中文支持网Part Number:LM5176
你好，LM5176的电路，正常24V输入,输出12.5V\4A（电子负载实际挂测6A是没问题的），出货使用故障率很高，基本上都是LM5176烧坏或者高边MOS管烧坏，更换就好了。实际挂测又很难出现故障。和LM5176开发板核对设计，发现有一些地方不一样。
1、原先电路MODE管脚接GND，HDRV1管脚信号是有正弦波和方波，改为93.1K接地的CCM模式，则为方波信号。目前已经是改成CCM模式，还是会出现同样的问题。
2、原设计SS脚用22uF原因不知，目前已经改回0.1uF。(MODD脚改为93.1K和SS脚改为0.1uF后，输出的HDRV1驱动信号为正常的方波，如果仅是改一个，信号还是有正弦波和方波夹杂)
3、挂测偶尔有出现问题，HDRV1和LDRV1的信号会异常，波形没存GT55N06.pdf下来。12V输出LM5176 sch.pdf上不去，会在几V跳动，跳一会儿之后，24V的直流供电电源就过流保护了。
4、测试烧坏的芯片，ISNS+和ISNS-两脚都是对地短路了。（正常的是100欧左右的对地阻抗），HDRV1\HDRV2，SW1\SW2的对地阻抗也都不一样，应该也有损伤了。
请问下：1、ISNS+和ISNS-的感应电阻应该是怎么计算的？目前设计上是否有什么问题？
2、可能是什么原因导致烧芯片和MOS管的？
Johnsin Tao：
Hi
Sense电阻计算可以参考datasheet 第23页。
从描述看，我觉得的是驱动异常导致的，这是个升降压芯片，在使用过程中，如果输出接近输出，模式切换时，电压sense如果受到干扰，容易出现模式混乱，这样很容易烧MOS, 以及芯片。
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user6535950：
使用过程极不可能出现输入接近输出，如果是电压sense较容易受干扰，那么是否禁用此功能比较妥当呢？直接把ISNS+和ISNS-两只脚短接。
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Johnsin Tao：
Hi
此功能是判定芯片工作topy，无法禁用。
Isns脚烧是很奇怪的，因为这个脚耐压是60V， 要判定它烧掉了，建议将芯片单体取下来测量，避免误判。
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user6535950：
单体是怎么测量？测量该脚跟GND脚的阻抗吗？
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Johnsin Tao：
Hi
将芯片拆下来测量，测试Isns脚对GND阻抗。
