LM74610-Q1: 芯片防倒灌失败

如下图1-1所示的电路图，我们在VBAT处接电池，电池电压为25.43V，发现VIN处有电压为24.08V，VBAT处的电压倒灌到了输入端。此时N_MOS的栅极G极电压为23.92V，怎么解决VBAT的电压倒灌到输入端VIN这个问题呢？VIN处的24.08V电压带3mA的负载都带不起来。

图1-1 

Johnsin Tao：

HI

   功能上防反灌入，是指输入没有电压时MOS不启动，输入的电压（电池）不会有电流通过MOS流向输入，但是芯片内部电路可能导致此时输入仍然有电压（并非通过MOS而来），具体多少没有测试过，但是有。

   所以你测试有电压，但是不能带载，说明MOS没有导通，电压来自芯片不具备带载能力。