BQ21040: bq21040 用于充电管理时，偶发出现芯片损坏的问题

Hi Ti engineer,

我司在使用bq21040 用于充电管理时，偶发出现芯片损坏的问题；

使用环境：

充电时使用5V适配器供电，电池充电电流为800mA（规格书中标注的最大充电电流），系统工作电流200mA ；

系统供电采用DC-DC与LDO将bq21040 的输出转换为3.3V;

下图为电路设计，在芯片参考设计上增加了两个二极管；

还请帮忙查看下是否设计上有损坏的风险点，谢谢。

Johnsin Tao：

Hi

   芯片不良模式是什么？ 芯片Vin/Vout击穿？ 还是其他？

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ian wu：

无法充电，损坏前是4.1-4.2，损坏后3.2V.

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Johnsin Tao：

Hi

    上述额外增加的2个肖特基都是没有必要的，上面一个破坏充电功能，而下面一个没有必要，虽然增加的反向保护，但是损耗很大。

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Johnsin Tao：

HI

    这个芯片输入最高耐压30V, 又有OVP保护，所以过压损坏应该是很难。

    而本身恒流设计，也不应该过流。

    这类不良比率多少？  注意一下ESD, 

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ian wu：

目前不良率大概有4%，这个充电芯片的ESD防护怎么加，在vin脚加TVS保护吗？理论来说装好整机后测试正常应该是不会有EDS造成的损坏了吧，对外的接口就是VIN了

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Johnsin Tao：

Hi

   加TVS管应该意义不大，因为最高耐压30V.

   损坏是在客户端，不在你们生产的测试阶段？