TI中文支持网Part Number:TPS732
VBIAS电压虽然可以维持很高，但VIN一旦减小的很低就会使NMOS跨过饱和区进入可变电阻区。进入可变电阻区LDO也是在正常工作的吗？
Although the VBIAS voltage can be maintained very high, once the VIN is reduced very low, NMOS will cross the saturation region and enter the variable resistance region. Is the LDO working properly in the variable resistance area?
Johnsin Tao：
HI
这个芯片并无偏执供电。
LDO Vin减小，芯片最终如你所说进入饱和区工作，此时输出电压不会输出正常，实际输出为Vin-Vdrop。 要LDO正常工作，输入电压必须大于Vo+ Vdropmax.
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stone li：
谢谢回答。我想从tps732引出关于偏置电压vbias的一个问题，即增加这个vbias电压后，怎么让Vdropout值变小了？我理解的Vdropout最小值即是Vgs（th），是我理解的不对吗？
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Johnsin Tao：
HI
Vdrop并没有变化，有些LDO 有Vbias, 这个电压是给芯片内部的，而芯片Vin可以低于Vbias（Vin不足以给芯片内部电压供电，所以额外增加Vbias)
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stone li：
就是说这个vbias电压实际没给到mos管的栅极Vg引脚吗，因为如果给到mos管的栅极，就会使Vs电压高于Vg电压，导致不在饱和区了吗？
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Johnsin Tao：
HI
有可能是这样的，但是我们也没有芯片内部电路可以确认。
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stone li：
谢谢回答。这样引出了另外一个问题，就是在mos管的可变电阻区不能实现LDO的功能吗？为啥呢？
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Johnsin Tao：
Hi
LDO是工作在线性区（线性LDO,反馈控制输入输出直接压差)，非饱和区。
