TI中文支持网Part Number:BQ78350-R1Other Parts Discussed in Thread:GPCCEDV, BQ78350, BQSTUDIO
在得到GPCCEDV文件report中有这么一段话，
CEDV parameters resulting from the fit. If EDVV bit is set to 1, EMF and EDVR0 have to be multiplied by the number of serial cells when written to data flash.
EMF 3517EDVC0 623EDVC1 0EDVR1 89EDVR0 1375EDVT0 5229EDVTC 11
1、其中EDVV位在Battery Management Studio(bqstudio)中找不到这个状态位，其在BQStudio软件中是指那个状态位？目前在bq78350文件中也找不到。
2、另外EMF and EDVR0 have to be multiplied by the number of serial cells when written to data flash这句话是指，我目前这份报告是否也要进行换算？（目前这份报告是2串1并做的数据）如果我要改成6串2并的话变成以下参数是否正确：
EMF 10551 （3517/2*6=10551)
EDVC0 623
EDVC1 0
EDVR1 89
EDVR0 4125 (1375*6/2=4125)
EDVT0 5229
EDVTC 11
Cherry Zhou：
您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
您好，EDVV bit不适用于 BQ78350，是用于其他一些仪表器件的。 您无需将 BQ78350 的 EMF 和 EDVR0 相乘。
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peter zhang72：
无需将BQ78350 的 EMF 和 EDVR0 相乘，是把拿到的数据填入后，BQ78350会自动进行换算补偿吗？以下是应用数据所给出的调整方法。
同种电芯 CEDV 参数适用到不同串并组合
同一种电芯的 CEDV 做好后，只需要通过小调整即可以适用到该电芯不同串并后的电池组合，而无需重新为不同串并的电池组合重新跑 CEDV 参数获取流程，从而为电池开发用户节省开发时间。
7 个 CEDV 参数调整的方法是：
(1).EMF, 与电芯串数成比例调整，比如单节电芯 EMF=4000mV，则 3 串 3 并池的 EMF = 12000mV，4 串 2 并电池的 EMF = 16000mV。
(2).EDVR0, 跟电阻的串并联的等效电阻一样调整，比如单节电芯 R0=4000，则 3 串 3 并电池的 R0=4000*3/3=4000，4 串 2 并电池的R0=4000*4/2=8000。如果电芯连接阻抗较大，则建议把连接阻抗乘以 4 加到 R0 上。
(3).其余参数 EDVC0, EDVC1, EDVR1 , EDVT0 , EDVTC 不需要修改。
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Cherry Zhou：
您好，BQ78350 已知串联的cell数 (来自 AFE AFE Cell Map 数据闪存参数)。 因此您不需要根据串联的电池数量调整系数，BQ78350 固件已经将其考虑在内。 如果要添加并联的cell，唯一需要调整的参数是 EDVR0。 R0 应除以并联cell的总数 (如果为 GPCCEDV 工具收集的数据是来自仅有一个并联cell的电池)。
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peter zhang72：
已解决，谢谢！
