TI中文支持网TI 的非隔离式半桥驱动器不会在内部为高侧通道产生偏置。相反，它们使用外部自举电路来保持高侧偏置。但是，在使用 100% 占空比时，自举电路无法为高侧通道提供偏置，因为它依赖高侧和低侧 FET 的开关来为自举电容器充电以保持高侧偏置：当高侧 FET 关断且低侧 FET 导通时，电容器 CBOOT 将重新充电（图 1），然后在高侧 FET 导通且低侧 FET 关断时，该电容器将放电（图 2）。有关自举电路的详细信息，请参阅此应用手册： https://www.ti.com/cn/lit/pdf/slua887
要在高侧驱动器上实现 100% 占空比，需要在高侧 HB-HS 引脚上保持恒定偏置，以保持高侧浮动电源电压高于驱动器的 HB-HS UVLO：
- 要实现 100% 占空比，一种方法是使用从 HB 到 HS 的隔离式浮动电源为高侧供电。由于开关节点 HS 从 GND（高侧栅极关断且低侧栅极导通时）切换到 Vbus（高侧栅极导通且低侧栅极关断时），因此需要隔离此浮动电源。另一个注意事项是确保不会超过驱动器 HB-HS 电压的工作条件。
- 实现 100% 占空比的另一种方法是，使用低侧通道生成振荡器来为 HB-HS 电荷泵充电。该解决方案的一个关键考虑因素是，低侧驱动器用作电荷泵电路的一部分，因此不能用于驱动半桥配置上的低侧 FET。该解决方案的另一个重要注意事项是，它不适合高开关频率，因为电荷泵电容器的容值相当大，并且连接到开关节点。本应用手册详细介绍了此解决方案：https://www.ti.com/cn/lit/pdf/sluaa58
Cherry Zhou：
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