TI中文支持网Part Number:DP83867IROther Parts Discussed in Thread:DP83867ERGZ-R-EVM, TIDA-010083, , TPS23758, LM74700-Q1
在TI网站上查到开发板DP83867ERGZ-R-EVM，想知道TI有类似的开发板，区别在于由网口（RJ45）供电，即PoE.
或者如果网口供电，下面的原理图有什么改动吗？哪个管脚输出直流电源？默认就是48V直流吗？
Amy Luo：
您好，
TIDA-010083参考设计应该对您有帮助，它是使用DP83867IR作为千兆以太网，PoE用于摄像头，其设计指南中 2.4.1.1 Powered Device 有修改说明；
TIDA-010083参考设计链接：https://www.ti.com.cn/tool/cn/TIDA-010083
设计指南：https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/zhcu703/zhcu703.pdf
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user5995061：
看了您的推荐，有三个问题
1.POE供电，通过RJ45输出到变压器输入端的中心抽头，不是已经是48V的直流电平了吗？为什么还要接整流器（4个二极管组成的）？
2. TPS23758是专门的POE DCDC？可以用于PD的识别？如果用其他普通DCDC是否可以？无法识别了？
3. LM74700这个二极管控制器的目的是做什么呢？为什么外接一个24V呢？
谢谢。
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Amy Luo：
我需要一些时间以确认您的上述问题，请您耐心等一下
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user5995061：
有空还请您看看问题，谢谢。
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Amy Luo：
1、上述 文档 2.4.1.1 Powered Device 部分有说明，如下截图：
2、TPS23758设备结合了以太网供电（PoE）设备（PD）接口、150-V开关电源FET和针对反激拓扑优化的电流模式DC-DC控制器。TPS23758的高集成度以及一次侧调节（PSR）、扩频频率抖动（SSFD）和高级启动功能使其成为尺寸受限应用的理想解决方案。PoE实施支持IEEE 802.3at标准作为13-W 1型PD。
3、LM74700-Q1起保护作用，与外部N沟道MOSFET配合使用，为低损耗、反极性保护的理想二极管整流器。该器件可以承受并保护负载免受低至-65 V的负电源电压。使用低RDS（on）外部N沟道MOSFET，可以实现非常低的正向压降，同时最大限度地减少MOSFET中的功耗。
此参考设计有两个不同的电源输入，一个电源选项是以太网供电（PoE），另一个选项是辅助电压输入。这两个电源输入被多路复用，为反激转换器供电。如果两个电源都存在，则会优先考虑辅助电源。24V是辅助输入电源
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user5995061：
谢谢您的回答，补充几个问题：
1. 查看TPS23758的手册，它需要外接变压器（T1）才能输出直流电压，是因为TPS23758是隔离型的POE PD吗？这样器件空间很大，是否有更简单的PD芯片推荐呢？或者PD芯片输出是否可以直接接DC/DC或者LDO输出不同电压值？这个部分一定需要隔离吗？
2. 如下图所示的二极管整流桥，功能并不是整流（因为POE输入已经是直流了），而是保证输入为正向或者反向时，PD端（TPS23758）都可以正常工作？RJ45变压器中间抽头输出的48V直流电没有准确的正负极定义吗？不知道我的理解对不对？
3. 如果没有辅助电压输入，都靠POE供电，是不是LM74700就不需要了？辅助供电是为了防止POE供电不稳定作为代替吗？
4. 有一些资料说，电流型PHY共模电感只能放在RJ45侧，电压型PHY可以放在PHY侧或者RJ45侧。这个共模电感是变压器自带的吗？如果RJ45集成变压器需要不同型号对应吗？
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Amy Luo：
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