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TAS2110 采用内部升压模式, 输出功率只有2W不到,到不了设计指标5W.

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电源输入5V, 采用内部升压模式。

输出接阻抗8欧姆

发现输出功率只有2W不到。

输入信号小的时候,系统正常。输出功率最高约1.5W.?

但是如果输入信号加大,输出会中断,约1.5s后会恢复,然后又中断。

所以达不到设计目标5W.

感觉系统哪里有保护启动了。

请教可能到底是哪里有问题?

哪里起保护了吗?

Kailyn Chen:

您好,输入信号的幅值是多少? 输入信号小,系统正常时,输入信号又是多少?中断时的输入信号为多少?
另外,也建议附上您的电路图以便分析,谢谢。

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Amy Luo:

您好,
感谢您对TI产品的关注!
TAS2110有以下保护功能:
– 电池:高级欠压保护
– 削波:VBAT 跟踪峰值电压限制器
– 器件:热保护和过流保护
故障时检查下是否发生欠压保护或热保护

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robin wang1:

使用内部PVDD,VBAT=5V.

输入信号为1khz Sine波 ,幅值:0~1Vrms,输入信号在450mV,输出1.2W NG。低于1.2W 系统OK。

以下为参考设计SCH,采用的内部PVDD,外部PVDD能正常拿到5W。

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robin wang1:

如何检查是发生了何种保护呢?

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Amy Luo:

很可能是过温保护,因为故障时结温超过140 ℃会shutdown 保护,1.5s后重启
故障时,可以大概测一下芯片温度是否比较高
或故障前用寄存器INT_LIVE and INT_LTCH查询中断

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Kailyn Chen:

您好,使用internal boost模式的话,输出功率上不去,看下是否是peak current 受限了,看下寄存器BST_ILIM[5:0]是怎么配置的?以及参考下datasheet Page45关于boost mode下的一些配置情况。

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robin wang1:

我们试了修改几个寄存器,都没有效果。
现在我们发现在系统不接负载的时候,芯片的PVDD输出电压是11.5V,是正常的。
但是一旦加上8Ω负载的话,PVDD电压就会掉下去,使得系统无法正常工作。
知道这可能是哪里有问题吗?

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Amy Luo:

您的VBAT供电电压输出功率是多少呢,检查下看是否因为VBAT供电功率不足造成的

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Kailyn Chen:

您好,检查下Vbat是否有接10uF电容,带载时,供电电压电流发生变化,此电容能帮助供电电压快速发生变化以适应不同的供电电流大小,参考Figure50的电路。

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robin wang1:

VBAT 由外部直流电源供电,应该没有问题的。

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robin wang1:

有接10uF电容,确认过VBAT电压波形,一直是5V,应该没有问题。

另外,看了PVDD的电压波形,当输入信号比较小的时候,PVDD电压也为5V,输出功率比较小,系统还是正常的。

当输入信号加大的时候,会发现PVDD电压升高(8V),然后系统就挂掉了,输出没有了,最后PVDD电压又从高电压慢慢掉回5V。

当输入在某个信号的时候(380mV),我抓到了一个PVDD奇怪的波形,我截图上来请看一下。

是不是系统在升压配置那块哪里有什么问题吗?

软件还是硬件方面呢?

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Kailyn Chen:

像是配置的问题,是否使能了LIMB_EN?0x12 bit0 是否使能了Vbat 限制器? 将其disable LIMB_EN=0 之后再试试.

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robin wang1:

并没有使能了Vbat 限制器?采用了默认的寄存器配置。
还有可能哪里有问题吗?

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