TI中文支持网Part Number:INA226
如图，系统电压等级为500–1000V电压，INA226采用隔离供电方式，INA226的芯片地与系统地不共地，VIN+/-端接在总线分流器的高端测（HIGH SIDE SHUNT），请问此种接线方式应用是否可行？
user6380909：
补充一点，此处还是将HV+接入系统高压侧了，虽然地悬空，不确定危险度，但如果把HV+也悬空呢，即把VBUS脚悬空，这样只采集VIN+/-的差分电压，只用做电流采集，这样是否可行？
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Amy Luo：
您好，
INA226需要与被测回路共地，不共地是不可以的
您可以看下下面“电流检测方案总结”中是否有满足您要求的方案：
e2echina.ti.com/…/thread
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user6380909：
您好，如图片，我们目前批量出货的方案就是这种未供地的方案，只用做电流采集，不用电压采集，电流采集输入在HV-端，采集数据是正常的，而且INA226采集的VBUS才需要系统地做基准，但是电流回路采集的是差分电压，理论上应该不需要被测回路的地，我们目前新方案需要把电流采集输入放在HV+端，所以不太确定了
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user6380909：
您说的INA226需要与被测回路共地，不共地是不可以的，原因是什么，不共地的风险点是什么
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Amy Luo：
您是使INA226整个系统都是浮空的吗？即供电是隔离的，输入输出信号是隔离的？
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user6380909：
226的供电是隔离的，对226输出的IIC信号也做了隔离，这样做有什么风险吗，是否会导致采集到的信号波动
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Amy Luo：
如果您对INA226的供电隔离，同时对输入信号和输出信号也隔离，也就是对INA226整个系统都隔离起来，那么INA226系统就是浮空的，在这种情况下，我认为采用高压侧采样电流应该是没问题的，因为这样共模信号被隔离开了
如果您的输入信号没有进行隔离，同时采用高压侧采样的话，即使不共地，这应该也相当于直接对系统输入端加入了一个高压端 HV+ 的共模电压（我理解的这相当于对系统打静电）一旦系统的电荷积累到系统绝缘最薄弱处临界点，系统绝缘最薄弱处就会被击穿，发生击穿的同时会对附件器件产生损坏。同理，采用低压侧采样（不共地），这种风险小很多，因为低压侧采样，输入的共模电压很小，基本为0
以上我的分析，请仅作为参考，系统一般都是建议与被采样回路共地的。
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user6380909：
那如果将226的地与芯片VIN-共地，这样芯片地就不浮空了，然后对226的IIC输出信号进行隔离，这样的话，对于226芯片来说，所接触的电压都不会超过额定值了，这样应用是否可以采高压侧的电流呢
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user6380909：
如图
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Amy Luo：
这种情况，我认为与我说的第二种情况基本是一样的，区别仅VIN-没有接GND，即如下：
Amy Luo 说：如果您的输入信号没有进行隔离，同时采用高压侧采样的话，即使不共地，这应该也相当于直接对系统输入端加入了一个高压端 HV+ 的共模电压（我理解的这相当于对系统打静电）一旦系统的电荷积累到系统绝缘最薄弱处临界点，系统绝缘最薄弱处就会被击穿，发生击穿的同时会对附件器件产生损坏。同理，采用低压侧采样（不共地），这种风险小很多，因为低压侧采样，输入的共模电压很小，基本为0
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user6380909：
我是这样认为的，INA226整体地电平在高压侧HV+，也就是说，不会存在HV+对226产生电荷累积，最高电压不会超过226本身耐压，所有的电荷累积会通过IIC的隔离器与外接隔离，您这样说仍存在电荷累积是因为HV-端到226电压值过高吗，累计电荷有可能产生在这端？
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Amy Luo：
HV+端和HV-间仅串联一个很小的采样电阻，没有什么区别吧，HV+的共模电压加在INA226系统上，即使HV+电压不会击穿绝缘隔离，那么如果HV+回路上存在静电，那么这个静电在HV+的基础上又加在了INA226系统上，这样系统绝缘最薄弱处被击穿的风险就大很多
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user6380909：
HV+端和HV-间仅串联一个很小的采样电阻那不就烧坏了吗，他们中间是负载隔开的，也就是说电压是通过负载从HV+下降到HV-的，226芯片的基准地基本上就是HV+，那这样还会体现出HV+这么高的共模电压吗？
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Amy Luo：
抱歉，我理解错了，我以为您说的是VIN-存在电荷累积到226电压值过高，因为VIN-和VIN+仅隔一个采样电阻，而VIN+=HV+所以VIN-约为HV+
是的，226芯片的基准地基本上就是HV+，因为INA226电源和接口都是隔离的，所以INA226整个系统的共模电压都是HV+，所以才有了我上面说的：
Amy Luo 说：HV+的共模电压加在INA226系统上，即使HV+电压不会击穿绝缘隔离，那么如果HV+回路上存在静电，那么这个静电在HV+的基础上又加在了INA226系统上，这样系统绝缘最薄弱处被击穿的风险就大很多
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user6380909：
226芯片的基准地基本上就是HV+,那226上的共模电压不应该基本是0吗，为什么还会有HV+等级的共模电压呢？
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Amy Luo：
这个共模电压不是说以INA226的地为参考点的，是以隔离侧为参考点的，虽然INA226的电源和信号是隔离的，但总的有个隔离电压，达到绝缘层的隔离电压，这个隔离层就被击穿了
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user6380909：
那是不是就可以认为，只要隔离强度足够高，就可以这样应用来检测高压测电流？
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Amy Luo：
我是这么理解的，但如果存在静电，被击穿的风险就大很多
以上仅是我的分析，请仅作为参考
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user6380909：
您意思是说，正常这样应用是没问题的，但是遇上静电之后，本身的一个比较高的共模电压再加上静电的引入，导致一般隔离器件都无法抗住更高一档次的共模电压值，从而导致器件击穿损坏，我理解的没错吧
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Amy Luo：
user6380909 说：正常这样应用是没问题的
抱歉，我也无法这样保证。如上所述，系统一般都是建议与被采样回路共地的。
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user6380909：
好的，多谢，我们目前有做过类似功能的高共模电压的差分采样电路，也是这种形式的高压侧隔离取地，目前应用未发现过此处的异常，可能是静电防护好一些吧，外部基本是不会有静电引入
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Amy Luo：
别客气。您的实际电路应用结果让我对这样的电路有了进一步理解，非常感谢您的反馈
