TI中文支持网Part Number:F28M35H52COther Parts Discussed in Thread: CONTROLSUITE
大家好：
问个Flash擦除有关的问题。
我做了段M3核程序prog.bin（C2000没有启动），程序功能是擦除所有flash，然后通过网络重新下载prog.bin，然后后重新烧回flash。现在遇到以下问题：
1.连接仿真器（xds560v2）运行程序，然后下载，擦除，重新写入都正常完成（通过memory browser观察），完成后的数据也导出来与prog.bin比对过，没有区别。然后在CCS 6.2 DEBUG界面下用reset和restart按钮进行复位，重复下载重新烧写功能失败，打断点发现Fapi_issueAsyncCommandWithAddress运行返回成功，但是对应的区域并未擦除成功。
2.下载程序后直接断电拔仿真器运行，芯片也是擦除失败。怀疑也是Fapi_issueAsyncCommandWithAddress执行问题。
请问大家是否遇到过
Green Deng：
你好，工程师将在工作时间为你解答。
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Cherry Zhou：
您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛，如有答复将尽快回复您。谢谢！
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Cherry Zhou：
anvaya 说：然后在CCS 6.2 DEBUG界面下用reset和restart按钮进行复位，重复下载重新烧写功能失败，打断点发现Fapi_issueAsyncCommandWithAddress运行返回成功，但是对应的区域并未擦除成功。
您好，重复下载和重新烧写过程是什么？ F28M35H52C 器件是运行引导加载程序，还是通过 xds560v2 仿真器接口完成所有操作？
anvaya 说：下载程序后直接断电拔仿真器运行，芯片也是擦除失败。怀疑也是Fapi_issueAsyncCommandWithAddress执行问题。
同时能否请您再解释一下这个过程？什么是断电拔仿真器运行？
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anvaya：
重复下载烧写就是说，在完成第一次烧写后，不移除仿真器，直接用CCS debug界面上的reset和restart按钮进行复位，再次通过网络下载固件，烧写。
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anvaya：
断电拔仿真器就是说，我把电路板用仿真器烧好程序后，脱离仿真器运行。再进行网络下载固件，烧写的步骤
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anvaya：
再提供个线索，在运行Fapi_issueAsyncCommandWithAddress（）失败后，检查了一下FSM_STAT寄存器，发现报错，报的是SLOCK error，大概意思就是sector锁定或是OTP锁定。那么问题来了，怎么解锁呢？文档上好像没有提及锁定的事
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Cherry Zhou：
好的感谢您提供的信息，预计1-2天内给到您答复。
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Cherry Zhou：
您好，您参考下以下FAQ：3. What are the common debug tips that we can consider when Flash API fails to erase or program?"
https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/951668/faq-faq-on-flash-api-usage-for-c2000-devices
请问您是怎样调用擦除功能的？
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anvaya：
我参考了flash_programming_m3工程的写法，用Example_CallFlashAPI()的流程来执行擦除操作，擦除代码、FLASH的lib文件都指定到ram里并检查了map文件确保没有遗漏。网络下载的固件被保存在shared ram里。
跳过前面的设置阶段，擦除部分代码如下
for(i=0;i<14;1++) //14个sector,逐个擦除
{
oReturnCheck = Fapi_issueAsyncCommandWithAddress(Fapi_EraseSector, (uint32 *)&Bzero_SectorL_start_addr[i]);
// Wait until FSM is done with erase sector operation while (Fapi_checkFsmForReady() != Fapi_Status_FsmReady){}
if(oReturnCheck != Fapi_Status_Success){while(1){} }
///////////////test oFlashStatus = Fapi_getFsmStatus(); if(oFlashStatus != 0) {while(1){} }
////////////////test
oReturnCheck = Fapi_doBlankCheck((uint32 *)Bzero_SectorL_start, Bzero_16KSector_u32length, &oFlashStatusWord); if(oReturnCheck != Fapi_Status_Success) { whiel(1){} //////////////////////擦除失败时跳到这里，然后添加了test程序段检查FSMSTAT寄存器，发现sector被锁，故障代码是0x0011(17) }
}
whiel(1){} //////////////////////擦除成功时跳到这里
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anvaya：
看了FAQ，我对照了一下例程，发现例程里没有
d. Initialize Flash wait-states, fall back power mode, performance features and ECC
f. EALLOW (C28x) or MWRALLOW (ARM) should be executed before calling Flash API functions to allow writes to protected registers.
有没有影响？
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Cherry Zhou：
抱歉回复晚了。
在使用闪存 API 之前，必须包括闪存初始化例程 (用于wait-state配置) 和 EALLOW (C28x) 或 MWRALLOW (ARM)。 您试下实施这些。
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anvaya：
闪存如何初始化？请给个实例。MWRALLOW (ARM)我只是在Example_CallFlashAPI()中没找到，是不是封装在Flash API functions里面了。
因为我的程序在某些条件下也是能运行成功的，是不是可以不用考虑这些地方
我主要是怀疑sector的擦写在特定条件下被锁了，有没有解锁方法?
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Cherry Zhou：
再帮您跟进给工程师问下哈，有新的进展会尽快给到您。
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Cherry Zhou：
您好，关于锁，发生故障时，在内存窗口中的值是多少？请您确认下。
以及有没有对任何密码进行编程？
请参阅以下代码中的 MWRALLOW ： \controlSUITE\device_support\f28m35x\v220\F28M35x_examples_Dual\flash_prog\m3\flash_programming_m3.c
在同一文件中，您可以看到闪存初始化函数调用，如下所示：
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anvaya：
没有对密码区编程，内存窗口中值没变化，因为擦除失败了，凡是例程中有的操作都被保留下来了
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Cherry Zhou：
好的感谢您提供的信息，已经跟进给工程师了，有答复会尽快给到您哈。
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Cherry Zhou：
您好，请问在进行了 MWRALLOW 和闪存初始化后，问题仍然存在是吗？
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anvaya：
是的
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Cherry Zhou：
好的收到，再帮您问下哈。
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Cherry Zhou：
您好，现在您已经确认了检查过闪存 API FAQ中提供的调试提示，那您能否提供一个没有任何专有代码并包含编译错误的project？这样工程师可以试下重现您的问题。
