CC1310 低功耗问题
在测试时候外围时钟晶振32.768K 在不加频偏电容时候, 休眠电流 在0.5 mA左右
32.768K选型在规格书范围内,
Q1.使用外部32.768K,无电容情况下,无故电流变大,增加频偏电容后,休眠电流小于0.1uA(程序一致情况下测试)
Q2.32.768K对休眠影响比较大如何避免,如果损坏,更换后PCB 也是无法进入休眠状态
Q3.CC1310 433发射最大功率设置,RF导出导入后还需要软件设置什么
Viki Shi:
1、晶振的问题我需要跟硬件专家讨论一下,后续再来回复
2、最大功率的问题,需要在ccfg.c里面,把CCFG_FORCE_VDDR_HH设置为 1【PS:此设置会增加功耗】
小李:
回复 Viki Shi:
1.几个厂家的32.768K (符合选型手册要求)一并验证,个别厂家在有电容情况下OK(程序一致)
个别不行,疑似频偏问题导致,麻烦工程师排查下
2.在无频偏电容电容情况下也排查下
小李:
回复 小李:
把CCFG_FORCE_VDDR_HH设置为 1在 ccfg.c定义里面没有看到
是否有DEMO历程里面是否有相关文档
Viki Shi:
回复 小李:
你打开的是project里的ccfg文件吧,真正的ccfg.c文件在C:\ti\simplelink_cc13x0_sdk_4_10_00_10\source\ti\devices\cc13x0\startup_files
小李:
回复 Viki Shi:
是的 我打开是历程里面的ccfgc文件,你所说的是真正的ccfg.c并没有搜索到能说的具体点不
比如SDK装C /…..
Viki Shi:
回复 小李:
抱歉,上面的链接贴成乱码了,已经改正过来。
另外,对于晶振的那个问题,硬件专家后面会来回复
Albin Zhang:
晶振损坏,TI真的没办法自适应这样的损坏。
32.768就是休眠钟,就是调准太能正常工作的。
BR. AZ
小李:
回复 Viki Shi:
导入相关的 ccfg.c
修改代码
#ifndef CCFG_FORCE_VDDR_HH
//#define CCFG_FORCE_VDDR_HH0x0// Use default VDDR trim
#define CCFG_FORCE_VDDR_HH0x1// Force VDDR voltage to the factory HH setting (FCFG1..VDDR_TRIM_HH)
#endif
其他代码不变情况下
测试SW 电感引脚 为1.68v
433MHZ SW最大功率为1.95V 没有达到
这是什么问题
小李:
回复 Albin Zhang:
32.768K 晶振损坏,在更换后就会出现进入不了休眠(难保更换晶振厂家一直,只能说是选型在规格书范围内)
就是调准太能正常工作的。???这是什么个意思
没有频偏电容,就进入不了休眠,难道这个晶振选型要求很高?
从CC1310手册来看 并没要求一定要频偏电容,只规定相应的要求
小李:
回复 小李:
目前在 版本A 上有找到相关 32.768K问题那版本B上 有改善?