TI中文支持网CortexA8: Trouble Writing Memory Block at 0x4c000010 on Page 0 of Length 0x4: (Error -2130 @ 0x4C000010) Unable to access device memory. Verify that the memory address is in valid memory. If error persists, confirm configuration, power-cycle board, and/or try more reliable JTAG settings (eg lower TCLK). (Emulation package 5.1.73.0) CortexA8: GEL: Error while executing OnTargetConnect(): target access failed at *((unsigned int *) (0x4C000000+0x10))=(unsigned int) (0x10000000|SDREF) [evm816x.gel:325] at EMIF4P_Init(0x1779C9FE, 0x50608074, 0x009F857F, (0x10001841&0xfffffff), 0x62A73832, 0x00000310) [evm816x.gel:1328] at Setup_DDR() [evm816x.gel:47] at OnTargetConnect(). CortexA8: Failed Software Reset CortexA8: GEL Output: GEL Reset CortexA8: Trouble Writing Memory Block at 0x40308b50 on Page 0 of Length 0x10c: (Error -1204 @ 0x3D5B) Unable to access the DAP. Reset the device, and retry the operation. If error persists, confirm configuration, power-cycle the board, and/or try more reliable JTAG settings (eg lower TCLK). (Emulation package 5.1.73.0) CortexA8: GEL: File: E:\CCS5.4\workspace\evm816x\tests\ddr\Debug\ddr.out: Load failed. CortexA8: Unable to terminate memory download: NULL buffer pointer at 0x3a9f CortexA8: Error: (Error -1204 @ 0x3D5B) Unable to access the DAP. Reset the device, and retry the operation. If error persists, confirm configuration, power-cycle the board, and/or try more reliable JTAG settings (eg lower TCLK). (Emulation package 5.1.73.0) CortexA8: Unable to determine target status after 20 attempts CortexA8: Failed to remove the debug state from the target before disconnecting. There may still be breakpoint op-codes embedded in program memory. It is recommended that you reset the emulator before you connect and reload your program before you continue debugging
Shine：
请问有在gel文件里初始化DDR吗？只是不能访问DDR吗？
,
jianqiang liu：
对在gel中初始化的ddr，同一个gel文件好的板子可以用，这个板子出现问题，我试着降低TCLK频率，但是没用，出现错误就是上图
,
jianqiang liu：
而且板子从SD卡启动，串口没有任何输出
,
jianqiang liu：
是在gel文件初始化的DDR，这个gel文件其他好的板子测试都是可以的，这个板子出问题，我降低TCLK时钟从796M降成400M也没用
,
Shine：
好的板子和不好的板子只是有没有焊接SD和串口的区别吗？GEL文件DDR3初始化时有没有提示初始化成功？
,
jianqiang liu：
GEL文件DDR3初始化是成功的，如下：
CortexA8: Output:EVM816x DDR2/3 PRCM Init is in progress …..
CortexA8: Output:EVM816x DDR2/3 PRCM Init is Done …..
然后后面就开始出错了，这个板子和好的板子一样，都焊接了SD和串口，而且这个板子之前我调出来过，后面不行了。前面那个帖子的DDR问题是另一块板，和这个的问题不同。
,
jianqiang liu：
DDR3初始化完成了，显示CortexA8: Output: EVM816x DDR2/3 PRCM Init is Done …..，后面就出错了，出错为CortexA8: Trouble Writing Memory Block at 0x4c000010 on Page 0 of Length 0x4: (Error -2130 @ 0x4C000010) Unable to access device memory.
,
jianqiang liu：
今天调试发现，如果将gel文件中的这两行注释掉，那个错误就消失了，但是DDR的测试程序会一直停在“DDR testing….”
,
Shine：
jianqiang liu 说：GEL文件DDR3初始化是成功的，如下： CortexA8: Output: EVM816x DDR2/3 PRCM Init is in progress ….. CortexA8: Output: EVM816x DDR2/3 PRCM Init is Done ….. 然后后面就开始出错了，这个板子和好的板子一样，都焊接了SD和串口，而且这个板子之前我调出来过，后面不行了。前面那个帖子的DDR问题是另一块板，和这个的问题不同。
,
Shine：
今天调试发现，如果将gel文件中的这两行注释掉，那个错误就消失了，但是DDR的测试程序会一直停在“DDR testing….”
,
jianqiang liu：
没有改动过，会不会是时钟问题，晶振我在测试一下
,
jianqiang liu：
晶振测试也没有问题
,
jianqiang liu：
问题已解决，经过调试发现硬件电路一个排阻坏了，换一个就好了
,
Shine：
感谢分享解决方法！
