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MOS管关断瞬间 RDC吸收回路无法吸收反向尖峰 mos管击穿

input:24v     output:380v  Q2Q4:Vdss=100v  Id=40a

在调试过程中输出300v  与310v 的过程中,负载可以从轻载到重载89w(额定100w)正常工作(效率81%左右)

在将输出电压调整至380v   空载输出正常,轻载14.44w十几秒后,mos被击穿

针对Q2   调整C18  并联电容102   和更换为电容103

D6和C18之间节点的波形  尖峰峰值并没有根本的变化    

黄色波形:D6与C18之间节点对地    蓝色波形:Q2的G极对地(衰减10倍)

问题:怎么减小MOS管在开关关断瞬间的反向电压尖峰?

在现在的基础上,可以做哪些调整(为什么)?

Johnsin Tao:

Hi用的是哪一款芯片?

XY W:

我在网上看资料Vrdc的电压有Vinmax(24*105%)和Vor(vor=(voutmax+vf)*Np/Ns=(300+0.8)/19=15.83v)组成但是我的这两个值相加 ,与波形反映出来的数值也相差较大 ,两者之间的差值又是哪部分的电压

XY W:

回复 Johnsin Tao:

LM5033

daw y:

调整电容对尖峰用处不大,应该减小电阻及更换更优得二极管。

XY W:

回复 daw y:

但是实际试验的波形来看  减小R4的电阻,Vds峰值有所下降;增大电阻R9,反而Vds的峰值有所下降

R4:47k C13:103 R9:1K C18:103   vds波形如下面两图所示(黄色波形   vds  衰减10倍         蓝色波形  Q2 gate)

减小电阻R4   vds峰值有所下降;R4变为10k   其他三个参数不变。结果如下两图所示

增大R9电阻为5.1k时,反而vds峰值有所下降

你说的二极管对于VDS峰值的影响,能不能给解释一下。具体时间二极管的什么参数

Johnsin Tao:

回复 XY W:

Hi确认一下变压器漏感是否过大?

XY W:

回复 Johnsin Tao:

1-4 leak 2.22uh total 90.37uh2.3%
2-3 leak 1.87uh total 90.08uh1.9%
9-12leak 8.75uh total 39.038mh0.026%
10-11 leak 4.919uh total 39.082mh0.012

这是之前绕完变压器我有用数字电桥测量的数据我算了一些都在2%之内

Johnsin Tao:

回复 XY W:

Hi

    可以参考附件看看。

  snubber design.pdf

XY W:

回复 Johnsin Tao:

多谢
我有个问题想请教一下前几天新绕了一个变压器在用电桥测原边漏感时出现了负值,上网查了查是呈现容性阻抗。
推挽式原边由双线绕制,比如说是1-4,2-3(1、2是同名端)电路中2、4连接在一起,主要副边输出也是双线绕制(9-12、10-11),电路中9、10连接在一起
测漏感时,我该怎么短接副边的接线柱?原边是按两个绕组来测,还是短接2、4,然后测量1-3之间的漏感?
我两种方法都试过,在测量线圈电感的时候,短不短接两个双线绕制的接头,前后电感值相差都比较大
还是说电桥的使用方法有问题,以前都是一键auto。(电感测量的频率是不是要接近开关频率)

Johnsin Tao:

回复 XY W:

Hi变压器绕线问一下变压器厂商,特别是要量产。 我们这边关于变压器绕线的资料几乎没有,一般也就是计算感量,匝比之类。

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