TI中文支持网在使用DRV8013过程中，使用其内部硬件过流，理论计算过流点维100A，但是实际设计的保护点只有10A左右。不知道是布线问题还是什么问题，大神请指导。
Alvin Zheng：
能检查一下芯片型号吗？没有DRV8013这一颗。
user5020314：
回复 Alvin Zheng:
不好意思是DRV8301
user5020314：
回复 Alvin Zheng:
不好意思是DRV8301
Alvin Zheng：
回复 user5020314:
先确认一下是触发DRV8301的OCP是吗？这是基于VDS检测得到的。触发值偏小主要原因是VDS检测不准，可能原因有MOSFET温升导致RdsON偏离典型值，从芯片引脚到MOSFET的DRAIN和SOURCE之间的布线过长或受到干扰等。
user5020314：
回复 Alvin Zheng:
首先感谢答复。
已经确认是过流。从状态寄存器读出的是A相上管过流。主要是实际和理论计算相差过大。刚开始工作，电流很小，温度影响可以忽略。可能主要是布线问题，不知道这块需要注意哪些。请指教。谢谢！
Alvin Zheng：
回复 user5020314:
可以参考一下这篇文档：
https://www.ti.com.cn/cn/lit/an/slva552/slva552.pdf?ts=1592982137969&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com.cn%252Fsitesearch%252Fcn%252Fdocs%252Funiversalsearch.tsp%253FsearchTerm%253Ddrv8301
user5020314：
回复 Alvin Zheng:
感谢答复。
我的这个用的是四层板，应用的MOS是2.6m欧姆。
现象和上面那个文档不同。有没有四层板走线的Layout推荐？
Alvin Zheng：
回复 user5020314:
可以参考一下TIDA-00774或TIDA-01485。
