DRV5033霍尔芯片的Bop和Brp、Bhys咨询

你好，

手册第六页的Bop的MIN=±1.8mT  TYP=±3.5mT，MAX=±6.8mT；

Brp的ＭＩＮ＝±０．５ｍＴ　ＴＹＰ＝±２，ＭＡＸ＝±４．２ｍＴ；

Ｂｈｙｓ的ＴＹＰ＝±１．５ｍＴ

请问：

１．　上述的ＭＩＮ＼ＴＹＰ＼ＭＡＸ在量产中数量百分比大概分布比例是多少？

2．　是否必须保证，磁铁接近ＤＲＶ５０３３时磁场强度＞６．８ｍＴ才能保证整个批次的产品可靠输出０V；

3.　   是否必须保证，磁铁远离ＤＲＶ５０３３时磁场强度＜０．５ｍＴ才能保证整个批次的产品可靠输出高电平＋５Ｖ（有接上拉电阻１０ｋΩ到５Ｖ）；

4.        Bop、Brp、Bhys的值是否在芯片出厂的时候已经固定？还是根据实际磁铁到芯片的磁场强度自适应？比如说当前磁铁到芯片的磁场强度为5mT，芯片读取记录磁场强度是多少？

5．　如何理解Ｂｈｙｓ=±１．５ｍＴ？是否只要Bop和Brp差值＞1.5mT，芯片就能可靠输出0V和5V（有接上拉电阻１０ｋΩ到５Ｖ）

Annie Liu：

看起来您正在使用DRV5033FA。 请您参考这个视频，它详细介绍了所有磁特性：

https://training.ti.com/ti-precision-labs-magnetic-sensors-latches-switches-operating-release-point?context=1139747-1139746-1137749-1139634-1137743

1. 很抱歉，这个不太确定。

2. 是的，您的理解是正确的。 该IC的最大Bop调整为+/- 6.8mT。

3. 是的，这也是正确的。

4. 这些值是固定的。

5. Bhys = Bop-Brp，为了可靠地输出oV或5V，不能高于Bop或低于Brp。 温度过高时，您需要考虑Bop / Brp的最大和最小范围。

user6427614：

回复 Annie Liu:

我司当前的应用是HALL接近开关

1. DRV5033与磁铁位置设计是否需要满足：磁铁接近芯片时，芯片上的磁场强度必须大于6.8mT，芯片才能可靠输出低电平；磁铁远离芯片时必须满足磁场强度小于0.5mT，芯片才能可靠输出高阻态（接上拉10k电阻，输出可靠变为5V）；

2. 对于特定的一个DRV5033芯片（已经做成成品HALL接近开关），实际测试磁铁接近芯片时的最大磁场强度=4mT，磁铁远离芯片时最小磁场强度等于1mT。实际用示波器测试DRV5033的输出波形为，磁铁接近芯片时电压为0V，磁铁远离芯片时电压为5V。那么这个特定的成品开关的DRV5033能否在未来5年一直保持磁铁接近芯片输出0V，磁铁远离芯片输出5V？

3. 对于您回答的第5点，我的理解是：为了可靠输出低电平0V，磁铁接近芯片时磁场强度必须大于当前芯片（已出厂芯片）的Bop（1.8mT到6.8mT的某一个值），为了可靠输出高电平，磁铁远离芯片时，磁场强度必须小于当前芯片（已出厂芯片）的Brp（0.5mT到4.2mt中的某一个值）。而每个芯片出厂后的Bhys=Bop-Brp都是固定的1.5mT（Type值）。再就是温度会影响芯片的Bop和Brp值，这样的理解对吗？

Annie Liu：

回复 user6427614:

1. 是的，您的理解是正确的。

2. 对于这种特定的IC，这看起来是正确的。您可能已经有一种与典型规格接近的产品，其中Bop为3.5mT，Brp为2mT。这不能保证它将在整个温度范围内工作，也不能与其他相同的设备一起工作，因为另一部分的阈值可能会有所不同，但在数据表中给定的最大值和最小值之内。因此，不能保证一台设备会随时间推移为您提供可靠的输出。您必须高于和低于数据表中给出的最大/最小Bop / Brp操作阈值。

3. 不可以，要使已交付给客户的任何设备可靠地输出低电平，磁场强度必须大于+/- 6.8mT。 要为交付给客户的任何设备输出高电平，Brp必须小于+/- 0.5mT。

user6427614：

回复 Annie Liu:

你好，

DRV5033的规格书中Vcc Min=2.5V Max=38V  Isink的MAX=30mA

1. 当前产品的Vcc接5V，Vout接上拉电阻到24V

2. 当磁铁接近芯片时，芯片的输出脚为低电平，24V经过上拉电阻到DRV5033的Vout管脚的灌电流Isink为7mA；

3. 当磁铁远离芯片时，芯片的输出脚为高电平24V

以上的应用是否会导致芯片发生故障？

user6427614：

回复 user6427614:

你好，

DRV5033的规格书中Vcc Min=2.5V Max=38V  Isink的MAX=30mA

1. 当前产品的Vcc接5V，Vout接上拉电阻到24V

2. 当磁铁接近芯片时，芯片的输出脚为低电平，24V经过上拉电阻到DRV5033的Vout管脚的灌电流Isink为7mA；

3. 当磁铁远离芯片时，芯片的输出脚为高电平24V

以上的应用是否会导致芯片发生故障？

user6427614：

你好，

DRV5033的规格书中Vcc Min=2.5V Max=38V  Isink的MAX=30mA

1. 当前产品的Vcc接5V，Vout接上拉电阻到24V

2. 当磁铁接近芯片时，芯片的输出脚为低电平，24V经过上拉电阻到DRV5033的Vout管脚的灌电流Isink为7mA；

3. 当磁铁远离芯片时，芯片的输出脚为高电平24V

以上的应用是否会导致芯片发生故障？

Annie Liu：

回复 user6427614:

在这些电压下，Vout和Vcc应该可以正常工作。 这里的要求是两个电压都必须保持在数据表中的ABS最大额定值范围内。 两个引脚的最大额定电压均为40 V，并且是独立的。

推荐的输出引脚典型工作条件表明，该器件能够吸收30 mA电流，因此上拉电流为7mA。