TI中文支持网我们这边采用POE供电，使用LM5576作为电源IC
Vin：48-57V，输入电容44uf(原理图截图中没有体现)
Vout：5V
IMax：2A
测量转换效率77%左右
目前IC发热严重，IC表面温度70摄氏度左右，导致整个板子都很烫想咨询一下是什么原因
Johnsin Tao：
Hi
从datasheet第八页figure9看，48V转5V/2A效率大约80%左右，所以从效率上看，你77%差不多，建议你确认一下电感和肖特基。如果想效率更高一点，你需要用耦合电感，做出一个8V左右的电压给到VCC供电，取代芯片内部的LDO供电。
内置MOS芯片温度一般略微发热正常，70℃不算高，主要是借助芯片底部Powerpad与GND充分焊接并扩展GND面积散热。
其次你可以借助webench仿真，确认电路设计，以及参数（包括芯片温度）。
user5193913：
回复 Johnsin Tao:
Hi
今天测试过程发现应该是二极管在发热导致芯片和电感都跟着温度上升。我尝试调低了开关频率，加大了电感，并联一个相同的二极管。温度依然变化不大。
如果如您所说当前温度处于合理范围的话，我就得想办法散热了，我们当前设备是胶壳，无通风口和风扇，散热能力较差。导致整板温度都跟着上升了。
感谢回复
