关于UCC21750芯片AIN口用于采集IGBT结温(通过片上温敏二极管)时有些疑问:
1)目前的IGBT片上温敏二极管采样的设计流通电流大多为1mA左右,而21750芯片的电流源大小为200uA无法满足采样要求,当时设计芯片是怎么考虑的?
2) 如果要用于采集,如何改进电路以满足需求?
Johnsin Tao:
Hi电流小了没有问题,电流大了超出21750的采样范围才不行。你可以在美国E2E:https://e2e.ti.com/上再确认一下。
user6430477:
回复 Johnsin Tao:
想问一下基于现在市面的IGBT 如Onsemi 800A DSC IGBT的电流值是1mA, 但是UCC21750的采样电流值只有200微安,如果我想用UCC21750采样IGBT,该用什么样的方案或者有什么解决办法呢?还有想问一下为何UCC21750的采样电流值是200微安这个比较小的数值?
Johnsin Tao:
回复 user6430477:
Hi这一块没有太明白, IGBT的电流值是1mA这个是主动的还是被动的,如果是主动的,就需要采样芯片超过1mA。 我理解是被动的,电流来之采样芯片,因为在datasheet里面我看到的方框图中,只是二极管和热敏电阻,这些不会主动产生电流。
user6430477:
回复 Johnsin Tao:
那请问一下UCC21750里边的参数200微安是它所能采样的最大电流值吗,还是别的值?对这款芯片不是很清楚,这里的1mA标注的是IF=1mA,IF是理解为被动电流吗?
Johnsin Tao:
回复 user6430477:
Hi见datasheet:An internal current source IAIN in AIN pin is implemented in the device to bias an external thermal diode or temperature sensing resistor. 这个规格是209uA最大, 满足IGBT1mA的应用。