TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:BQ76930, TIDA-01093
我们用2个BQ76930级联做20串铁锂保护板，在做短路测试时发现放电MOS DS之间有瞬间高压，电压120V左右，持续时间7.2uS，概率导致电容C37（标记处）和其它器件损坏（电压是必现，损坏是概率），如下图，请帮忙分析一下高压产生的原因及如何消除，谢谢！（尝试在B+/B-之间加90V TVS管和在B-/P-之间加肖特基二极管无效）
Star Xu：
您好，由于问题比较复杂，我需要询问更了解这款芯片的TI工程师，再帮您解答，稍后回复
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Hunterwen：
感谢回复！补充一下，我们的原理图和MOS驱动电路是参考TIDA-01093设计的，在生产测试中发现标记的地方容易损坏，不良率在0.5~1%左右。
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Star Xu：
您好，请参考下面的答复
In the TI schematic, C51 and C52 are a pair connect in series. In the customer schematic they are connecting the caps in the center. If they follow the TI schematic, it will allow the voltage to divide across the two caps, so 120V should only give 60V on each.In the TI schematic, R90 is used to slow down the switching. This might be helpful.
We are not sure how Q31 and Q32 are damaged. It may be necessary to capture this on a scope to see what is happening. Is the D42 diode rated higher than 100V?
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Hunterwen：
感谢回复，我们测试发现，如果去掉MOS DS两端的电容或者采用TI参考设计的连接方式，是没有瞬间脉冲的，那么请问在P-/B-之间并联电容的目的是什么呢？去掉这两颗电容会有什么风险呢？
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Star Xu：
您好，这两个串联电容器用于ESD保护。 对于2个串联，如果一个发生故障（短路），则另一个仍然存在以提供保护。
该文档对在FET两端使用电容器进行ESD保护进行了很好的讨论（请参见第3节）：www.ti.com/…/slua368.pdf
