TI中文支持网您好，
目前我采用的芯片是C6746，集成开发环境是CCS7.2.0，编译器版本是TI v7.4.16，编译器优化等级是3，内存使用情况如下：
问题描述如下：
原始的代码在线运行正常，烧写的FLASH里运行不正常，原始代码如下：
如果在第一行注释“//实际电压clark变换”后敲击两下回车键，程序烧写到FLASH里后也可以正常运行，修改后的代码如下：
请问：出现这样的问题是否跟我的注释方法有关？还是有其他原因会导致此类问题出现？
谢谢！
Shine：
跟注释方法没关系。可以接上仿真器，跟一下boot过程，看程序运行到哪里出错了。
processors.wiki.ti.com/…/Debugging_Boot_Issues
,
erdong chen：
您好，
按照您给出的建议，连上仿真器，在flash下进行仿真（即选择load symbols），发现程序中结构体park_Us_P(下面程序中的第163行)变成了NAN类型，程序如下：
需要说明的是：（1）程序里用到的变量都有定义且初始化过；
（2）如果选择load program 就不存在上述现象
请问，遇到上述问题可以怎样解决？
谢谢！
,
Shine：
请看一下在工程编译时有没有选取ROM autoinitialization model (-c) 工程属性->CCS Build -> C6000 Linker->Runtime Environment->Initialization model. 如果用RAM autoinitialization model的话，在脱机时，有些初始化变量值不会被加载。
,
erdong chen：
您好，
选取的是ROM autoinitialization model，具体设置如下图：
还有其他的可能原因吗？
谢谢！
,
Shine：
建议比较一下这块代码在仿真器模式和脱机模式下执行时寄存器，指针等是否一样？
,
erdong chen：
您好，
能否排除是编译器版本的问题造成的呢？
谢谢！
,
Shine：
可以升级一下编译器试试，如果还是这个问题，就不是编译器版本的问题。
,
qiaofeng qiaofeng11：
你好，
你的问题解决了。我这边遇到一个类似的问题。想请教你一下。
谢谢
,
erdong chen：
您好，
我升级了一下编译器版本，最后还是没有解决这个问题，你具体是什么情况，可以互相交流下
谢谢
,
qiaofeng qiaofeng11：
C6000 linker ->advance options -> runtime environment->using RAM
暂时这么处理，那么这个就带来固化程序的麻烦
