TMS570LS3137：EEPROM emulation bank program操作

专家你好

      在TMS570LS3137的TRM的5.7.42小节中，寄存器FCFG_BANK的域EE_BANK_WIDTH指示EEP的编程操作最大支持128位数据。

      用于编程EEP的数据寄存器为5.7.22（FEMU_DMSW） 和 5.7.23（FEMU_DLSW）.那么这两个寄存器拼起来最多64位数据。

      请问如何实现128位数据的EEP编程？

Susan Yang：

请您参考一下下面帖子的讨论以及相关文档

e2e.ti.com/…/408190

e2e.ti.com/…/859838

www.ti.com/…/spna148.pdf

可以使用FWM寄存器接口来写入Flash Bank，而不是直接写入Flash Bank。
即使用SPNA148中所述的Flash宽编程Flash Wide Programming Write Data写入数据寄存器，而不是直接指向Flash地址空间进行写入

,

user6263934：

在SPNA148中确实有Flash Wide Programming Write Data，但是对应的FADDR寄存器描述：For FSM operations, this register can contain the main Flash, data Flash or Customer OTP addresses.Program的对象应该不包括eep（bank7）吧。
寄存器FEMU_DMSW，FEMU_DLSW，FEMU_ECC，FEMU_ADDR与EEP的program无关了吗？

,

Susan Yang：

我看您在E2E上也发了帖子，已经assign给了相关的专家，他们会相对更熟悉一些。请您关注一下回复，谢谢

e2e.ti.com/…/918527