TI中文支持网用同一块电路板，
1、使用TAS5630DKD 保护后，再上电怎么也不能恢复（依旧保护）；
2、使用 TAS5630B DKD保护后再上电可以恢复，但某些时刻不能立刻恢复，得放置一段时间（时间没有规律）再上电可正常。
请问，
1、TAS5630 DKD 与TAS5630B DKD 具体区别是什么，我在官网上看到已不推荐TAS5630 DKD作为新设计，难道是芯片有缺陷？
2、上述 2 中的现象如何解释，是我买到假的芯片了？上述 1、2中的情况，芯片的功率输出级均未与PVDD、地、自举或相邻管脚连接，要不然TAS5630B DKD 也不会再工作正常。
电路设计基本上参考EVM板，请用过的工程师帮忙解解惑！
user1433997：
上电后保护的现象：
READY 高
SD 低
OTW 高
手册提示：Overload (OLP) or undervoltage (UVP). Junction temperature higher than 100°C 。
欠压不会的，结温度也不会超过100°，毕竟才刚上电，过载也排除了，因为将负载移除也会出现这样的情况。
Bing Dong：
1. TAS5630B是对TAS5630存在的一些做了一些硬件上的更新，所以在新设计上不推荐使用TAS5630
2. 请问是一上电就发生了保护还是工作一段时间出现的问题，从现象上来看是因为发生了过温保护
从您测试结果上看，/SD管脚被拉低，说明结温超过了155，无法自动恢复，需要拉低/reset管脚后，再拉高，重启芯片，具体过程描述在datasheet 17页
user1433997：
回复 Bing Dong:
为什么一上电，结温就会那么高？出现上述的现象，都是芯片上电之后，再将负载接入。
现在，在芯片上电之前将reset拉低，上电完成后再拉高，出现故障的概率大大降低。之前复位都是靠复位芯片，在VREG上电后，持续250ms的低电平。
Junxian wu：
芯片保护后对主电源放电比较慢，试检查主电源放电时长，本人正对5630做测试
