TI中文支持网上次在论坛问了个IDRIVEP/N的问题：（http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/f/60/t/143678.aspx）
按DRV8711数据表所说：必须要配置IDRIVEP/N满足要求吗？（IDRIVE > Q / RT）ＲＴ为５２ns，Qg为42ｎＣ，则IDRIVEP要取１Ａ？然而寄存器给的为50mA-200mA，工作人员的答复不是我想知道的。
最近按公式去选型，发现大部分Q g/ RT都是1A左右，就去看了下 BOOST-DRV8711中CSD88537ND是怎么样的，结果Qg为14nC，Tr为15ns，也为1A左右，有些纳闷，TI的板子都不符合这是什么情况？工作人员让我看Qg和RT选型的
Alvin Zheng：
Tr不是一个给定参数，而是你的系统设计时需要的目标参数，由Switching loss和EMI综合考虑设定。MOSFET规格书上的Tr为不限定Source current (Rg=0)的时候，最快的Tr。
DRV8711 Source current最大为200mA，配合CSD88537ND，Qgate total=14nC，可以达到的最大Trise约为14nC/200mA=70ns。
jie Jiang3：
回复 Alvin Zheng:
这个意思是根据Idrive求Trise？然后再求Tdriver？
另外为什么看到在IDRIVE那篇文档1.5.1.1节看到用的是栅漏电荷Qds，而不是Qgate total？？？
jie Jiang3：
回复 Alvin Zheng:
请问TI的电机中提到一个步进周期大约为 1/f=2×DTIME + TBLANK + TOFF。
按这个公式来计算TOFF？
那是不是意思是TOFF要设置为 比1/f-（2×DTIME + TBLANK）略小一点（因为驱动时间会长于TBLANK，所以略小）？
那么2×DTIME + TBLANK + TOFF在DRV8711里最多也就设置成不到150us，我如果电机步进周期为200us，那么TOFF怎么办取什么值？TOFF走完后剩余的时间做什么？数据表根本没提到。
Alvin Zheng：
回复 jie Jiang3:
Figure4 已经表明用QGD和QGTotal所代表的rise时间段的区别。
Alvin Zheng：
回复 jie Jiang3:
你完全搞混了电机步进信号step周期，和current decay的Toff周期，是独立的关系。DRV8711规格书里Figure 10已经很清楚告诉你Tblank Toff的意义。步进电机控制基本原理可以去找本专门的书。
jie Jiang3：
回复 Alvin Zheng:
谢谢，有些懂了，步进频率是外部输入的脉冲频率，内部衰减是由寄存器的这些值来设定的。还想请教下电机衰减模式的主要目的是什么：保持相对恒定电流？还是将电感储能释放一部分能量方便下一步的操作？
